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J-GLOBAL ID:202202284284261565   整理番号:22A0286406

混合Pb-Snペロブスカイトの構造と動力学に及ぼす固有欠陥の影響:第一原理DFTとNAMDシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Influence of intrinsic defects on the structure and dynamics of the mixed Pb-Sn perovskite: first-principles DFT and NAMD simulations
著者 (5件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 234-244  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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混合スズ(Sn)および鉛(Pb)ペロブスカイト組成は,純粋なSnハライドペロブスカイトと比較して,著しく増強された材料安定性および長いキャリア寿命のため,ペロブスカイト光起電力デバイスにおいて大きな可能性を示した。増大する興味にもかかわらず,光発生電荷と金属カチオン空孔(V_SnとV_Pb)と格子間ハロゲン(i_I)のような固有点欠陥の挙動はこのクラスの材料でよく理解されていない。これらの固有欠陥の有無でのMA_2SnPbI_6の静的および動的構造に関するab initio非断熱分子動力学(NAMD)シミュレーションと組み合わせた第一原理密度汎関数理論(DFT)計算を報告する。欠陥状態の性質を議論し,MA_2SnPbI_6の構造,オプトエレクトロニック特性および電荷キャリア動力学に及ぼす固有点欠陥の影響を明らかにした。i_I欠陥は,新しい再結合経路を提供する中間ギャップ状態を作り出すことによって,キャリア寿命を著しく短縮した。比較において,空格子点欠陥はキャリア寿命にはるかに弱い影響を与える。V_SnとV_Pbの両方が価電子帯最大(VBMs)直下の欠陥状態を生成し,バンドギャップを変えなかった。それらは,VBMsのエネルギー分散と伝導バンド極小(CBMs)を変えることによって,キャリア寿命に影響を及ぼす。過剰なカチオンは,格子間ハロゲン欠陥の出現を避けるためにペロブスカイトの合成に用いるべきであることを示唆した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  半導体結晶の電子構造 

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