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J-GLOBAL ID:202202284336917874   整理番号:22A0474108

コバルトドーピングと欠陥工学から生じるZIF誘導ZnOミクロスフェアのトリエチルアミンセンシングの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancing triethylamine sensing of ZIF-derived ZnO microspheres arising from cobalt doping and defect engineering
著者 (10件):
資料名:
巻: 291  号: P1  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0843A  ISSN: 0045-6535  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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合理的なドーピングは欠陥の生成に有益であり,ZnOセンシング性能を改善する実現可能性戦略である。ここでは,ゼオライトイミダゾレート骨格(h-ZnO/ZIF-ZnCo_x)で被覆した階層的多孔性ZnO(h-ZnO)サブミクロスフェアを熱分解する種々の欠陥含有量を有するCoドープh-ZnOコア-シェル構造(h-ZnO/ZnCo_x)を作製するその場自己犠牲テンプレート戦略を提示した。X線光電子(XPS),光ルミネセンス(PL)およびRamanスペクトルの研究は,ドナー欠陥がh-ZnO/ZnCo_x中の亜鉛格子間原子(Zn_i)および酸素空孔(V_O)を含み,Coドーパント(x=0~30%)によって調整できることを示した。その結果,h-ZnO/ZnCo_xは,非ドープh-ZnOよりもトリエチルアミン(TEA)に対して著しく増強された応答と選択性を示し,15%Coドープh-ZnO(h-ZnO/ZnCo_15%)は,同様のタイプのセンサに対して,573Kで1020から50ppmTEAの最大応答を示した。さらに,h-ZnO/ZnCo_xのセンシング機構を詳しく説明し,おそらく,豊富なドナー関連欠陥とh-ZnO/ZnCo_15%の付加的電子を生成するコバルトドーピングに対応する,より多くの酸素吸着から生じる豊富な活性酸素種から生じる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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重金属とその化合物一般 
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