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J-GLOBAL ID：202202284357549205   整理番号：22A0287745

多結晶シリコン太陽電池のRaman顕微分光法【JST・京大機械翻訳】

Raman Microspectroscopy of a Multi-Crystalline Silicon Solar Cell

著者 (8件)： Ganesan Jeya Prakash (Department of Materials Science and Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Iqbal Nafis (Department of Materials Science and Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Krsmanovic Milos (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Torres-Davila Fernand (Department of Physics and Astronomy and Nanoscience Technology Center, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Dickerson Andrew (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Davis Kristopher O. (Department of Materials Science and Engineering, Florida Solar Energy Center and Resilient, Intelligent and Sustainable Energy Systems, Faculty Cluster Initiative, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Tetard Laurene (Department of Physics and Astronomy, Nanoscience Technology Center and Renewable Energy and Chemical Transformation, Faculty Cluster Initiative, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Banerjee Parag (Department of Materials Science and Engineering, Florida Solar Energy Center, Nanoscience Technology Center and Renewable Energy and Chemical Transformation, Faculty Cluster Initiative, University of Central Florida, Orlando, FL, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 12  号： 1  ページ： 230-237  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコン太陽電池をRaman顕微分光法を用いて分析した。太陽電池の様々な領域におけるシリコン,ナノ結晶シリコンおよび酸化銀の顕著なRamanモードを測定し,仕上げデバイスのプロセスおよび材料品質への洞察を得た。最初に,単結晶シリコンウエハによる太陽電池の横光学(TO)フォノンピーク位置と半値全幅(FWHM)の分布を比較することによって,多結晶シリコン表面の品質を確認した。第2に,デバイス表面上のレムナント鋸マークの類似解析は,多結晶シリコン表面と比較して,TOフォノンピーク位置およびFWHMの明確に高く,より広い分布を示した。これは,鋸マーク領域における残留圧縮応力の存在を示した。第3に,銀フィンガーとバスバーを観察することによって,残留酸化銀層が,ラインエッジから25μmまで同定された。これは銀ペーストのスクリーン印刷とその後の焼成過程に起因した。最後に,埋め込まれた介在物のRamanマッピングはナノ結晶シリコン相の存在を示した。介在物を囲む多結晶シリコン領域は引張応力下にある。介在物の非破壊,共焦点Raman分析は,多結晶シリコンウエハの内面と上の両方で欠陥の3D可視化を提供した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  フォノン ,  鋸 ,  スクリーン印刷 ,  *ケイ素 ,  酸化銀 ,  *多結晶 ,  引張応力 ,  介在物 ,  FWHM ,  *ポリシリコン ,  *顕微Raman分光法
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  ナノ結晶シリコン ,  横光学フォノン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多結晶シリコン太陽電池 ,  Raman顕微分光法