文献

J-GLOBAL ID：202202284450606770   整理番号：22A0433693

強誘電分極スイッチングによる二次元In_2Se_3基板上の遷移金属原子の磁気異方性の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the magnetic anisotropy of transition-metal atoms on two-dimensional In₂Se₃ substrate via ferroelectric polarization switching

著者 (6件)： Jin Deyou (School of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China) ,  Qiao Wen (School of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China) ,  Xu Xiaoyong (School of Physics Science and Technology, Yangzhou University, Yangzhou, 225002, China) ,  Mi Wenbo (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparation Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300354, China) ,  Yan Shiming (School of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China) ,  Wang Dunhui (School of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一磁性原子における大きな調整可能な磁気異方性(MA)の探索は,最高の情報データ密度による情報蓄積にとってメリットがある。本研究では,第一原理計算により二次元(2D)強誘電性(FE)In_2Se_3の表面に吸着された遷移金属原子X(X=Co,Fe,Ir,Mo,Nb,Ta,Ti,V,W)のMAを研究した。In_2Se_3の強誘電分極を切り替えると,Co,Ir,NbおよびTi単一原子に対するMAの強度は変化し,一方,Fe,Mo,Ta,VおよびW単一原子に対するMAの方向は反転した。計算した電子構造と軌道分解磁気異方性エネルギーは,スピン-少数状態の占有とスイッチングFE分極によるFermi準位でのd軌道の交換分裂の変化が,X原子上のMAの強度と方向の変化の原因であることを示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *磁気異方性 ,  磁石 ,  *遷移金属 ,  電子構造 ,  *分極 ,  チタン ,  強誘電性 ,  Fermi準位 ,  情報蓄積 ,  *二次元
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  d軌道 ,  単一原子 ,  *強誘電分極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 磁気異方性 ,  単一原子磁石 ,  2D強誘電体 ,  In_2Se_3 ,  磁気電気結合

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電分極 ,  スイッチング ,  遷移 ,  金属原子 ,  磁気異方性