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J-GLOBAL ID：202202284450772911   整理番号：22A1113388

垂直グラフェン/InNヘテロ構造におけるSchottky障壁のエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering Schottky barrier in vertical graphene/InN heterostructure

著者 (10件)： Liu Yuhang (College of Mechanical and Material Engineering, North China University of Technology, Beijing, 100144, PR China) ,  Li Hong (College of Mechanical and Material Engineering, North China University of Technology, Beijing, 100144, PR China) ,  Liu Fengbin (College of Mechanical and Material Engineering, North China University of Technology, Beijing, 100144, PR China) ,  Sun Shuai (College of Mechanical and Material Engineering, North China University of Technology, Beijing, 100144, PR China) ,  Zhou Gang (Beijing Key Laboratory of Long-life Technology of Precise Rotation and Transmission Mechanisms, Beijing Institute of Control Engineering, Beijing, 100094, China) ,  Qing Tao (Beijing Key Laboratory of Long-life Technology of Precise Rotation and Transmission Mechanisms, Beijing Institute of Control Engineering, Beijing, 100094, China) ,  Zhang Shaohua (Beijing Key Laboratory of Long-life Technology of Precise Rotation and Transmission Mechanisms, Beijing Institute of Control Engineering, Beijing, 100094, China) ,  Lu Jing (State Key Laboratory of Mesoscopic Physics and Department of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China) ,  Lu Jing (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, 100871, PR China) ,  Lu Jing (Peking University Yangtze Delta Institute of Optoelectronics, Nantong, 226000, PR China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 348-349  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,van der Waals積層ヘテロ構造(vdWHs)はナノエレクトロニクスの性能を高めるために多くの研究の関心を集めている。層間結合と電場の下でグラフェン/InN vdWHの界面接触特性を研究するために第一原理法を採用した。グラフェンとInN成分の両方の自然電子特性は,n型Schottky接触と平衡中間層距離でそのまま保たれた。層間距離が4.73Åに増大するか,または負の電場が-0.42V/Åまで増加すると,オーム接触に同調し,一方,0.2V/Åより大きい正の電場の下でp型Schottky接触に変換する。これらの知見は,高性能ナノエレクトロニクスにおけるグラフェン/InN vdWHの応用にとって非常に重要である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  界面 ,  電場 ,  Ohm接触 ,  第一原理 ,  層間隔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 層間結合 ,  *ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  中間層 ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン/InN vdWH ,  接触特性 ,  界面結合 ,  電場

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  グラフェン ,  InN ,  ヘテロ構造 ,  Schottky障壁 ,  エンジニアリング