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J-GLOBAL ID：202202284488119511   整理番号：22A1043494

GaN HEMTに対するガンマ線照射効果の熱機械的側面【JST・京大機械翻訳】

Thermo-mechanical aspects of gamma irradiation effects on GaN HEMTs

著者 (7件)： Rasel Md Abu Jafar (Department of Mechanical Engineering, Penn State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Stepanoff Sergei P. (Department of Materials Science and Engineering, Penn State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Wetherington Maxwell (Materials Characterization Laboratory, Penn State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Haque Aman (Department of Mechanical Engineering, Penn State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Wolfe Douglas E. (Department of Materials Science and Engineering, Penn State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Pearton Stephen (Department of Material Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 12  ページ： 124101-124101-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 107radまでのγ線を照射した空乏モードGaN高電子移動度トランジスタの電気的特性に伴う熱的および機械的応答を報告した。格子歪と温度の変化は,オン状態と非パワー/ピンオフ参照状態からのE_2(高)とA_1(LO)のフォノン周波数の変化によって同時に特徴付けられた。低線量の照射は電気的性質を改善した。しかし,分解は約106radで開始した。飽和電流が約16%減少し,最大線量で相互コンダクタンスが6%減少した。しかし,漏れ電流は3桁増加し,最も顕著な放射効果であった。元のデバイスと比較して,107radの線量で,温度増加を40%,機械的応力を3倍増加させた。チャネルに沿った機械的応力の空間マッピングは,機械的に影響を受けた領域としてゲート領域を同定したが,熱分解はほとんど均一であった。透過型電子顕微鏡はゲート領域における高い空孔濃度を反映するコントラスト変化を示した。これらの知見から,局所応力(機械的ホットスポット)は,漏れ電流を促進する高濃度の欠陥を収容することによって,放射線損傷に対する脆弱性を増加させる可能性があることが示唆された。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： γ線 ,  *γ線照射 ,  格子歪 ,  コントラスト ,  照射損傷 ,  電流 ,  熱分解 ,  電気的性質 ,  漏れ電流 ,  放射線量 ,  *窒化ガリウム ,  ホットスポット ,  相互コンダクタンス ,  ゲート【半導体】 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 飽和電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  ガンマ線 ,  照射効果