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J-GLOBAL ID：202202284512344088   整理番号：22A0973188

シリコンベース単分子層に及ぼす電場の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Electric Fields on Silicon-Based Monolayers

著者 (6件)： Li Tiexin (School of Molecular and Life Sciences, Curtin University, Western Australia, Australia) ,  Peiris Chandramalika (School of Molecular and Life Sciences, Curtin University, Western Australia, Australia) ,  Dief Essam M. (School of Molecular and Life Sciences, Curtin University, Western Australia, Australia) ,  MacGregor Melanie (Flinders Institute for Nanoscale Science & Technology, Flinders University, South Australia, Australia) ,  Ciampi Simone (School of Molecular and Life Sciences, Curtin University, Western Australia, Australia) ,  Darwish Nadim (School of Molecular and Life Sciences, Curtin University, Western Australia, Australia)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 38  号： 9  ページ： 2986-2992  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場は結合破壊と結合形成を誘起し,表面の化学反応を触媒し,電極表面の自己組織化単分子膜の構造を変化させる。ここでは,Si系単層に及ぼす電気化学ポテンシャルあるいは原子間力顕微鏡(C-AFM)によって供給される電場の影響を調べた。シリコン上の典型的な単分子層は,+1.5V vs Ag/AgClで下部シリコンの酸化が続く部分脱着を受けることを報告した。単分子層は,+1.5V電気化学ポテンシャルをSi表面に10分間印加すると,その表面被覆率の28%と電子移動速度定数(k_et)の55%を失った。同様に,C-AFMによって印加された+5Vのバイアス電圧は,バイアス印加時間が8分であるとき,2.6nmの平均酸化物成長を伴う特定サイトでの単分子層の完全な脱着を誘発する。電流-電圧プロットは,金属-半導体接合の典型である整流から,酸化物が成長するにつれて絶縁へと徐々に変化する。これらの結果は,電場に対するSi系有機単分子層の安定性を明らかにし,シリコン系単分子層の設計,分子エレクトロニクスデバイス,およびそれらを横切る電荷移動速度の解釈に意味がある。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 脱着 ,  電圧 ,  *電場 ,  電荷移動 ,  電流 ,  化学反応 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  *単分子層 ,  半導体接合 ,  整流 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 電気化学ポテンシャル ,  分子エレクトロニクス ,  バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  単分子層 ,  電場