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J-GLOBAL ID：202202284667858642   整理番号：22A0578466

調整可能な電子および光学特性を有するタイプII PtS_2/MoTe_2 van der Waalsヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

A type-II PtS₂/MoTe₂ van der Waals heterostructure with adjustable electronic and optical properties

著者 (7件)： Yin Shaoqian (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Luo Qingqing (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Wei Dong (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Guo Gaofu (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Sun Xiaoxin (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Tang Yanan (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China) ,  Dai Xianqi (School of Physics, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 33  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtS_2/MoTe_2ヘテロ構造の幾何学的,電子的および光学的性質を密度汎関数理論(DFT)計算に基づいて系統的に調査した。間接バンドギャップ(0.93eV)PtS_2/MoTe_2ヘテロ構造は室温で高い動的および機械的安定性を示した。系のタイプIIバンドアラインメントは,界面での光生成電子と正孔の分離を容易にする。二軸歪と外部電場(E_field)は,タイプIIからタイプIへのPtS_2/MoTe_2ヘテロ構造遷移のバンド整列を誘起するだけでなく,半導体-金属転移も実現できる。PtS_2/MoTe_2ヘテロ構造は,近赤外領域に現れるピークで赤方偏移し,その電力変換効率(PCE)は13.60%に達した。これらの特性は赤外検出器と太陽電池への応用に有益である。さらに,二軸歪はPtS_2/MoTe_2ヘテロ構造の光吸収強度を高め,引張歪は光吸収範囲を拡大した。吸着強度はE_fieldの増加と共に増加し,E_fieldが光学的性質を効果的に調節できることを意味する。著者らの結果は,PtS_2/MoTe_2ヘテロ構造が太陽電池,赤外検出器,オプトエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスデバイスの応用において明るい展望を持ち,PtS_2/MoTe_2ヘテロ構造の作製のための有用な理論的方向を提供することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  吸着 ,  *光学的性質 ,  正孔 ,  太陽電池 ,  電場 ,  光吸収 ,  計算 ,  *素子構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  引張歪 ,  外部電場 ,  間接バンドギャップ ,  バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： vdWH ,  バンドアラインメント ,  PtS_2 ,  MoTe_2 ,  第一原理計算 ,  2D材料

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  光学特性 ,  タイプ ,  VAN ,  ヘテロ構造