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J-GLOBAL ID：202202284713823046   整理番号：22A1120217

4種のチオヒ酸塩A_7Cu_4As_3S_13(A=Rb,Cs),Rb_2Cu_5As_3S_8およびCsCu_2AsS_3のソルボサーマル合成,構造およびキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Solvothermal syntheses, structures, and characterizations of four thioarsenates A₇Cu₄As₃S₁₃ (A = Rb, Cs), Rb₂Cu₅As₃S₈, and CsCu₂AsS₃

著者 (5件)： Li Yanhua (Department of Chemistry, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Cao Xiaoyu (Department of Chemistry, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  Ji Min (Department of Chemistry, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China) ,  You Zhonglu (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Liaoning Normal University, Dalian 116029, PR China) ,  An Yonglin (Department of Chemistry, Dalian University of Technology, Dalian 116024, PR China)
資料名： Inorganic Chemistry Communications  (Inorganic Chemistry Communications)
巻： 139  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1585A  ISSN： 1387-7003  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の原子価を有するヒ素イオンを含む4種のチオヒ酸塩,Rb_7Cu_4As_3S_13(1),Cs_7Cu_4As_3S_13(2),Rb_2Cu_5As_3S_8(3)およびCsCu_2AsS_3(4)をソルボサーマル法により合成した。化合物1と2は,AsVS_4四面体とCuS_x単位(x=3,4)の縮合により形成された[Cu_4As_3S_13]7クラスタを含む。化合物3と4は,ヒ素イオンが三価である層状構造を有する。すべての化合物は半導体であり,化合物1と2は良好な光電応答性能を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  半導体 ,  *原子価 ,  層状組織 ,  クラスタ ,  *化学合成 ,  キャラクタリゼーション ,  四面体
準シソーラス用語： *ソルボサーマル合成 ,  光電気 ,  ヒ素イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 第四チオヒ酸塩 ,  ソルボサーマル合成 ,  結晶構造

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヒ酸塩 ,  Cs ,  ソルボサーマル合成 ,  キャラクタリゼーション