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J-GLOBAL ID：202202284720516007   整理番号：22A1153993

遷移金属ジカルコゲナイドの金属エッジへの吸着【JST・京大機械翻訳】

Adsorption on Metallic Edges of Transition Metal Dichalcogenides

著者 (4件)： Davelou Daphne (Department of Materials Science and Technology, University of Crete, GR-70013, Heraklion, Greece) ,  Mathioudakis Christos (Department of Materials Science and Technology, University of Crete, GR-70013, Heraklion, Greece) ,  Remediakis Ioannis N. (Department of Materials Science and Technology, University of Crete, GR-70013, Heraklion, Greece) ,  Kopidakis Georgios (Department of Materials Science and Technology, University of Crete, GR-70013, Heraklion, Greece)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 16  号： 4  ページ： e2100588  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D半導体遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,オプトエレクトロニクス,触媒,およびエネルギー応用に対して興味を引いている。次元に依存するTMD電子と光学特性の制御は,ナノ構造と吸着物によって修正され,そのような応用のための信頼できるナノスケールデバイスの開発と展開にとって重要である。2D[数式:原文を参照](M=Mo,W及びX=S,Se)の金属エッジの原子構造,エネルギー論及び電子構造に対する密度汎関数理論計算結果を,吸着水素, 酸素, ヒドロキシルラジカル及び水のいくつかの被覆率と共に示した。ジグザグナノリボンモデルを用いて,MX_2の基底面と比較して,エッジはより活性で,豊富な吸着剤挙動を示すことが分かった。一般に,2つのX吸着原子を有する熱力学的に安定なM端は,水素,酸素,および水を弱く結合し,ヒドロキシルを強く結合させる。しかし,吸着エネルギーは吸着型と被覆率に依存し,水分解と水素発生のような重要な化学反応の触媒作用のために調整される。電子バンド構造計算は,バンドギャップエネルギー修飾とギャップ状態に加えて,エッジ状態の十分に確立されたロバスト金属特性が,吸着物と吸着剤の両方に依存するFermi準位シフトにもかかわらず,保存されることを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  電子 ,  電子構造 ,  半導体 ,  酸素 ,  水素 ,  吸着剤 ,  計算 ,  Fermi準位 ,  ヒドロキシルラジカル ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  リボン結晶 ,  密度汎関数法 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  電子構造 ,  ナノリボン ,  ラジカル種 ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遷移金属ジカルコゲナイド ,  エッジ ,  吸着