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J-GLOBAL ID：202202284866184092   整理番号：22A1081119

スイッチング関数定式化を用いたSiH_2(11A→∞)の正確な多体展開ポテンシャルエネルギー面【JST・京大機械翻訳】

An accurate many-body expansion potential energy surface for SiH₂ (1¹ A′) using a switching function formalism

著者 (6件)： Wang Hainan (Department of Physics, Liaoning University, Shenyang 110036, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lue Yanling ,  Chen Jiaxin ,  Song Yuzhi ,  Zhang Chengyuan ,  Li Yongqing
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 13  ページ： 7759-7767  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiH_2の基底状態に対する正確な多体膨張ポテンシャルエネルギー表面を報告した。第一励起Si(1D)と基底Si(3P)状態のシリコンを含むSi(1D)+H_2(X1Σ)解離チャネルにおける正しい挙動を保証するために,スイッチング関数形式を利用した。aug-cc-pV(Q+d)Zとaug-cc-pV(5+d)Z基底関数系に基づく多くのab initioポイントを,参照として完全原子価完全活性空間波動関数を用いてマルチ参照配置相互作用レベルで利用した。続いて,計算エネルギーを,完全基底関数系限界に外挿するために多体展開法により補正した。新しい多体展開グローバルポテンシャルエネルギー面の地形的特徴を詳細に研究し,文献における理論および実験結果との良好な一致を示した。さらに,Si(1D)+H_2(X1Σ)→H(2S)+SiH(X2Π)反応の積分断面積を時間依存波束法を用いて計算し,標題ポテンシャルエネルギー面の信頼性に対する支持を提供した。本研究は,Si(1D)+H_2(X1Σ)反応速度論の研究のための基礎として,また,シリコン/水素含有系のより大きな多体膨張ポテンシャルエネルギー表面の構築に役立つ。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 解離 ,  基底状態 ,  配置間相互作用 ,  励起 ,  外挿法 ,  *ケイ素 ,  水素 ,  *ポテンシャルエネルギー ,  原子価 ,  波束 ,  一次元 ,  *定式化 ,  *ポテンシャルエネルギー面 ,  基底関数系 ,  反応速度論

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  ペプチド  (CF10080G)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング関数 ,  定式化 ,  11A ,  展開 ,  ポテンシャルエネルギー面