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J-GLOBAL ID：202202285047662767   整理番号：22A0655254

Landau準位充填[数式:原文を参照]近傍の2D電子の相関状態【JST・京大機械翻訳】

Correlated States of 2D Electrons near the Landau Level Filling [Formula : see text]

著者 (9件)： Chung Yoon Jang (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Graf D. (National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, Florida 32310, USA) ,  Engel L. W. (National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, Florida 32310, USA) ,  Rosales K. A. Villegas (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Madathil P. T. (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Baldwin K. W. (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  West K. W. (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Pfeiffer L. N. (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA) ,  Shayegan M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 128  号： 2  ページ： 026802  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低Landauレベル充填因子([数式:原文を参照])での二次元電子系(2DESs)の基底状態は,凝縮物質における関心と論争の話題である。超高移動度GaAs 2DESの品質における最近のブレークスルーに続いて,この問題を実験的に再考し,縮小障害の影響を調べた。密度[数式:原文を参照]と移動度[数式:原文を参照]を有するGaAs 2DES試料において,著者らは,[数式:原文を参照]のとき,[数式:原文を参照]の縦磁気抵抗([数式:原文を参照])において深い最小値を見出した。また,[数式:原文を参照]での[数式:原文を参照]における最小発育の明白な兆候がある。絶縁相は,[数式:原文を参照]のとき,まだ支配的であるが,これらの極小は,非常に低いLandauレベル充填限界においても,Jain配列[数式:原文を参照]に適合する充填因子での分数量子Hall状態の存在を強く示唆する。関係[数式:原文を参照]から推論された磁場依存性活性化エネルギーはこの見解を確認し,[数式:原文を参照]の場合,ピン止めWigner固体状態の存在を示唆した。同様の結果が,より低い密度の別のサンプルでも見られ,著者らの観察をさらに一般化した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  活性化エネルギー ,  基底状態 ,  凝縮 ,  密度 ,  ヒ化ガリウム ,  *Landau準位 ,  *二次元 ,  固相 ,  充填 ,  電子系 ,  ピン止め
準シソーラス用語： 二次元電子系 ,  充填率 ,  高移動度 ,  分数量子Hall状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： Landau準位 ,  数式 ,  参照 ,  近傍 ,  相関