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J-GLOBAL ID：202202285065083840   整理番号：22A0949264

グラフェン,ホスホレンおよびグラフェンのvan der Waalsおよび横方向ヘテロ構造を通した電界効果デバイスの第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First principles study of field effect device through van der Waals and lateral heterostructures of graphene, phosphorene and graphane

著者 (5件)： Rebolledo Espinoza C. (Chair of Materials Science and Nanotechnology, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany) ,  Ryndyk D.A. (Chair of Materials Science and Nanotechnology, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany) ,  Dianat A. (Chair of Materials Science and Nanotechnology, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany) ,  Gutierrez R. (Chair of Materials Science and Nanotechnology, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany) ,  Cuniberti G. (Chair of Materials Science and Nanotechnology, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany)
資料名： Nano Materials Science  (Nano Materials Science)
巻： 4  号： 1  ページ： 52-59  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5540A  ISSN： 2589-9651  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料の化学修飾と垂直積層は,新しいナノエレクトロニクスデバイスのための有望な技術である。2D材料の横方向および垂直ヘテロ構造に基づいて,電界効果デバイスの密度汎関数光結合(DFTB)計算を示した。このデバイスはグラフェンシートによって保護されたホスホレンチャネルからなり,それは接触として作用し,グラフェンの局所的水素化によってソースとドレインに分割され,絶縁グラフを与える。わずか3層から成るこのデバイスでは,グラフェン-グラフィンの単一シートは,リードと酸化物ゲートの両方として働くことができ,一方,ホスホレンチャンネルの保護層としても作用する。グラフィン/ホスホレン/グラフィンとグラフェン/ホスホレン/グラフェンの完全vdWヘテロ構造が,Schottky障壁を通常の電場により深く影響され,そのようなデバイスの電子輸送を特性化した。最後に,輸送方向に非常に高い密度で,ホスホレンチャネルドーピングと欠陥を特性化し,ホスホレンバンドギャップ内の輸送を可能にした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  電場 ,  輸送現象 ,  酸化物 ,  水素化 ,  計算 ,  ドーピング ,  *素子構造 ,  二次元 ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  電子輸送 ,  グラフィン ,  *フォスフォレン ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 2D materials ,  van der Waals heterostructure ,  Graphene ,  Phosphorene ,  Graphane ,  DFTB ,  Defects ,  Field effect

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  ホスホレン ,  VAN ,  横方向 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果デバイス ,  第一原理 ,  研究