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J-GLOBAL ID：202202285091285547   整理番号：22A0492481

単結晶1.7eV MgCdTe太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Monocrystalline 1.7-eV MgCdTe solar cells

著者 (9件)： Ding Jia (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Campbell Calli M. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Becker Jacob J. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Tsai Cheng-Ying (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Schaefer Stephen T. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  McCarthy Tyler T. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Boccard Mathieu (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Holman Zachary C. (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Zhang Yong-Hang (Center for Photonics Innovation, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 2  ページ： 023107-023107-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 障壁層中のMg組成を変えた単結晶1.7eVMg_0.13Cd_0.87Te/Mg_xCd_1-xTe(x>0.13)二重ヘテロ構造(DH)太陽電池を分子線エピタキシーにより成長させた。障壁と吸収器の間の急激な界面を特徴とするMg_0.13Cd_0.87Te/Mg_0.37Cd_0.63Te DH太陽電池とSiO_2反射防止被覆の添加は,それぞれ,開回路電圧(V_OC),短絡電流密度(J_SC),フィルファクタ(FF),およびデバイス活性面積効率を,それぞれ,1.129V,17.3mA/cm2,77.7%,および15.2%まで示した。V_OCとFFはMg_xCd_1-xTe障壁高さと反対に変化し,キャリア閉込めとキャリア輸送の間のトレードオフとしてMgCdTe DHsの最適設計を示した。温度依存V_OC測定は,デバイスにおけるキャリア再結合の大部分は,a-Si:H正孔接触層において,そしてa-Si:H層とMg_xCd_1-xTeトップ障壁の間の界面において,DHsの外側で起こることを明らかにした。最高の効率を有するデバイスのシミュレーション結果は,p型a-Si:H層とMg_0.37Cd_0.63Teトップ障壁が,それぞれ1.3と2.4mA/cm2J_SC損失に寄与することを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  *太陽電池 ,  *単結晶 ,  最適設計 ,  *マグネシウム ,  温度依存性 ,  反射防止膜 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ヘテロ構造 ,  開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶 ,  太陽電池