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J-GLOBAL ID：202202285115917077   整理番号：22A0464612

光触媒効率改善のためのVをドープした2D層状SnS_2におけるバンドギャップ収縮と電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Bandgap Shrinkage and Charge Transfer in 2D Layered SnS₂ Doped with V for Photocatalytic Efficiency Improvement

著者 (25件)： Shelke Abhijeet R. (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Wang Hsiao-Tsu (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Chiou Jau-Wern (Department of Applied Physics, National University of Kaohsiung, Kaohsiung, 811726, Taiwan) ,  Shown Indrajit (Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Shown Indrajit (Department of Chemistry, Hindustan Institute of Technology and Science, Chennai, 603103, India) ,  Sabbah Amr (Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Sabbah Amr (Department of Chemistry, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Chen Kuang-Hung (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Chen Kuang-Hung (Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Teng Shu-Ang (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Lin I-An (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Lee Chi-Cheng (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Hsueh Hung-Chung (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Liang Yu-Hui (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Du Chao-Hung (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Yadav Priyanka L. (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan) ,  Yadav Priyanka L. (Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur, 416004, India) ,  Ray Sekhar C. (Department of Physics, CSET, University of South Africa, Johannesburg, 1710, South Africa) ,  Hsieh Shang-Hsien (Scientific Research Division, National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, 30076, Taiwan) ,  Pao Chih-Wen (Experimental Facility Division, National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, 30076, Taiwan) ,  Tsai Huang-Ming (Scientific Research Division, National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, 30076, Taiwan) ,  Chen Chia-Hao (Scientific Research Division, National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, 30076, Taiwan) ,  Chen Kuei-Hsien (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Chen Li-Chyong (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei, 10617, Taiwan) ,  Pong Way-Faung (Department of Physics, Tamkang University, New Taipei City, 251301, Taiwan)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 2  ページ： e2105076  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Vドープ2D層状SnS_2の電子および原子構造の影響を,光触媒/光起電力応用の開発のためにX線分光法を用いて調べた。VK端での拡張X線吸収微細構造測定は,SnS_2層のvan der Waals(vdW)ギャップにおける四面体O-V-Sサイトのインターカレーションを形成するV-OとV-S結合の存在を明らかにした。X線吸収端近傍構造(XANES)は,SnS_2中のVドーパントの原子価状態が≒4+であるが,V L_α,β共鳴非弾性X線散乱により支持されたVから配位子への電荷移動(CT)も明らかにした。これらの結果は,Vドーピングが余分な層間共有結合相互作用と付加的伝導チャネルを生成し,電子伝導率とCTを増加させることを示唆する。これは,層状SnS_2における光励起電子の急速な輸送と効果的なキャリア分離を与える。さらに,価電子帯光電子放出スペクトルおよびS K端XANESは,価電子帯最大近傍の状態密度が,元のSnS_2と比較して,VドープSnS_2においてより低い結合エネルギーにシフトし,バンドギャップ収縮を示すことを示した。これらの発見は,VドープSnS_2中のVから配位子へのCTを強調して,vdWギャップに層間挿入された格子間四面体O-V-Sサイトの第一原理密度汎関数理論計算を支持した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  相互作用 ,  *電荷移動 ,  X線吸収 ,  *ドーピング ,  価電子バンド ,  状態密度 ,  *二次元 ,  共有結合 ,  ドーパント ,  密度汎関数法 ,  XANES ,  *光触媒 ,  インターカレーション ,  *バンドギャップ

著者キーワード (6件)： バンドギャップ収縮 ,  電荷移動 ,  密度汎関数理論 ,  共鳴非弾性X線散乱 ,  Vドープ2D層状SnS_2 ,  X線吸収

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光触媒 ,  効率改善 ,  ドープ ,  2D ,  層状 ,  バンドギャップ ,  収縮 ,  電荷移動