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J-GLOBAL ID：202202285262828378   整理番号：22A0553437

分子ビームエピタクシーによるGaN上のエピタキシャルフェリ磁性Mn_4N薄膜【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial Ferrimagnetic Mn₄N Thin Films on GaN by Molecular Beam Epitaxy

著者 (10件)： Zhang Zexuan (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Cho Yongjin (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Gong Mingli (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Ho Shao-Ting (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Singhal Jashan (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Encomendero Jimy (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Li Xiang (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Lee Hyunjea (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Jena Debdeep (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 58  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2400106.1-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップの窒化物半導体を有する磁性層の直接エピタキシャル集積はスピン制御輸送とフォトニック現象,機能性スピントロニクスデバイスのためのシードアイディアを可能にするであろう。プラズマ支援分子線エピタキシー(MBE)を以前に未調査の窓で用いて,著しく改善されたフェリ磁性Mn_4N層を,約1nmの表面粗さでGaN上に成長させた。以前の報告と異なり,GaN上に成長したMn_4N層は回折パターンにおいて12倍面内対称性を持つ[001]配向であることが分かった。このユニークなエピタキシャルレジストリは3つの等価回転ドメインに由来する。GaN上の低成長温度Mn_4N層のフェリ磁性磁気輸送特性はMgOのような立方晶基板上に報告されたものに匹敵する。しかし,Hall抵抗の符号フリップが300°C以上で成長したMn_4N層に対して発見された。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  プラズマ ,  対称性 ,  *薄膜 ,  *フェリ磁性 ,  特性 ,  酸化マグネシウム ,  磁気 ,  立方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  *MBE成長 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 回折パターン ,  輸送特性 ,  ドメイン構造 ,  窒化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  エピタキシャル ,  フェリ磁性 ,  薄膜