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J-GLOBAL ID：202202285320645419   整理番号：22A0465200

ナノ構造半導体ヒドロゲルのための多重プロセスレーザリフトオフ【JST・京大機械翻訳】

Multiprocess Laser Lifting-Off for Nanostructured Semiconductive Hydrogels

著者 (12件)： Tao Yufeng (Institute of Micro-nano Optoelectronics and Terahertz Technology, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China) ,  Tao Yufeng (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China) ,  Deng Chunsan (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China) ,  Long Jing (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China) ,  Liu JingWei (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China) ,  Wang Xuejiao (Institute of Micro-nano Optoelectronics and Terahertz Technology, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China) ,  Song Xiaoxian (Institute of Micro-nano Optoelectronics and Terahertz Technology, Jiangsu University, Zhenjiang, 212013, China) ,  Lu Chengchangfeng (Whiting School of Engineering, Johns Hopkins University, Baltimore, MD, 21218-2688, USA) ,  Yang Jingjing (Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Hao Hui (Jiangsu Key Laboratory of Optoelectronic Technology, Nanjing Normal University, Nanjing, 210023, China) ,  Wang Chengbo (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China) ,  Zhang Wenguang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, China)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 9  号： 1  ページ： e2101250  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ヒドロゲルは,金属と生物の二重利点(エコ-優しさ,構造柔軟性,混合伝導,リアルタイム反応性,スケーラブルな製造,および化学的安定性)によって,学問分野に関連した戦略的に貴重なプラットフォームを示す。それにもかかわらず,オルトドックス化学/物理法処理ヒドロゲルは,超微細特徴サイズまたは操作性能,μ-ロボット,μ-電子,またはn-エネルギー産業を短くする,平面状層または粗い構造を生じる。それにより,デバイスの体積ダウンおよび非洗浄材料のポテンシャルのスケーリングは,広帯域応用にとって極めて重要である。従来の体積/分解能限界を切断し,形状設計容量を大きくし,マイクロ/ナノサイト化のための望ましい電気伝導を,自己組織化してフェムト秒レーザリフティング技術を合成した。低次元高性能ナノワイヤ,電気回路,超薄インターデジタルキャパシタ,操作光子フィルタ,およびメタ表面をここで官能化した。繰り返し実験は,10×10x0.02μm3までのサブミニチュアサイズ,1.17×105Sm-1までの調整可能な電気伝導率,および,それらの電気化学二重層のものより高いエネルギー貯蔵のための面積容量>16.2mFcm-2の高密度統合能力を結論づけた。ナノメータ分解能を有する大きな形状容量は,将来の光電子製品,n-エネルギー,バイオ神経記録,または埋込み条件のインタフェイスへのアクセスを提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光子 ,  電気伝導率 ,  *半導体 ,  ロボット ,  洗浄剤 ,  *多重化 ,  電気化学 ,  広帯域 ,  官能化 ,  *ヒドロゲル ,  自己組織化 ,  ナノワイヤ ,  電気回路 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： *リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フェムト秒レーザリフトオフ ,  機能統合製造 ,  ナノエネルギー ,  π-πスタッキング

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  静電機器  (NB10020R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  ヒドロゲル ,  多重