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J-GLOBAL ID：202202285473073972   整理番号：22A0428523

ドライスポットモデルを用いた臨界電流密度に対する水素気泡の臨界数の推定【JST・京大機械翻訳】

Estimation of critical number of hydrogen bubbles for critical current density using the dry spot model

著者 (2件)： Park Hae-Kyun (Department of Nuclear Engineering, Kyung Hee University, 1732 Deogyeong-daero, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 17104, Republic of Korea) ,  Chung Bum-Jin (Department of Nuclear Engineering, Kyung Hee University, 1732 Deogyeong-daero, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 17104, Republic of Korea)
資料名： Chemical Engineering Science  (Chemical Engineering Science)
巻： 249  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0254A  ISSN： 0009-2509  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生システムは,臨界電流密度(CCD)と呼ばれる上部操作限界を持ち,そこでは,電気化学的に生成した水素気泡が,沸騰システムにおける臨界熱流束(CHF)のように,表面上に水素膜を形成する。水素気泡構成を想定するモデルを提案する目的で,硫酸電解システムの1.5Mを用いてCHFに対する乾燥スポットモデルを適用することにより,「絶縁スポットモデルを提唱した。CCDでの気泡の臨界数を絶縁スポットモデルによって推定した。本電解システムの核形成特性を適用し,次に,気泡の臨界数を6として計算し,それは7.4%の誤差で測定CCDを予測する。従って,六角形充填構造が水素気泡構成に対して想定された。CCD現象はCHFと同様に流体力学的挙動によって支配され,ミニチュアCHFと見なすことができると結論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  *気泡 ,  沸騰 ,  臨界熱流束 ,  *水素 ,  硫酸 ,  *臨界 ,  電解装置 ,  電気化学 ,  *臨界電流密度
準シソーラス用語： 水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 水素発生システム ,  臨界電流密度 ,  ドライスポットモデル ,  気泡の臨界数 ,  六方充填構造 ,  臨界熱流束

分類 (1件)： 装置内の流れ  (XD01010Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 臨界電流密度 ,  水素 ,  気泡 ,  臨界 ,  推定