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J-GLOBAL ID：202202285642993667   整理番号：22A0968138

半導体磁気プラズマの増強Raman利得係数【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Raman gain coefficients of semiconductor magneto-plasmas

著者 (4件)： Gopal (Department of Physics, Lords University, Chikani, Alwar, Rajasthan, India) ,  Sharma B. S. (Department of Physics, Lords University, Chikani, Alwar, Rajasthan, India) ,  Singh Jaivir (Department of Physics, J.V.M.G.R.R. (P.G.) College, Charkhi Dadri, India) ,  Singh Manjeet (Department of Physics, Government College, Matanhail, Jhajjar, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 4  ページ： 309  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Raman感受率におけるSRSの起源を仮定して,種々の幾何学的配置の下での半導体磁気プラズマのRaman利得係数(定常状態および過渡領域)に対する表式を得た。励起強度の閾値とパルス持続時間の最も好ましい値(過渡Raman利得が消滅する)を推定した。数値計算のために,周波数2倍パルスCO_2レーザに曝露したRaman活性媒質として77K温度でn-InSb結晶を考察した。ドーピング濃度,静磁場,および傾斜,散乱角,およびポンプパルス持続時間に関するRaman利得係数の変化を調査した。より低い閾値強度でのRaman利得係数を高めるために,これらの制御可能なパラメータを最適化するための努力を指向した。散乱パルスの圧縮のためのホストとしての半導体磁気プラズマの適合性と効率的なRaman増幅器と発振器の作製を確立した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  散乱 ,  閾値 ,  数値計算 ,  発振器 ,  *半導体 ,  ドーピング ,  適応性 ,  パルス ,  アンチモン化インジウム ,  パルス幅 ,  静磁場 ,  *磁化プラズマ
準シソーラス用語： 定常状態 ,  *Raman利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： レーザ-プラズマ相互作用 ,  Raman利得 ,  閾値強度 ,  半導体プラズマ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気プラズマ ,  増強 ,  Raman利得 ,  係数