文献

J-GLOBAL ID：202202285681758688   整理番号：22A0885554

酸性媒体中での効率的で耐久性のある水素発生を促進するNi-P化合物上のAlP制御りん空孔【JST・京大機械翻訳】

AlP-regulated phosphorus vacancies over Ni-P compounds promoting efficient and durable hydrogen generation in acidic media

著者 (8件)： Wang Mei (School of Materials Science and Engineering & School of Energy and Power Engineering & School of Science, North University of China, Taiyuan 030051, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhao Huifang ,  Long Yi ,  Zhang Wenjuan ,  Wang Liyong ,  Zhou Diaoyu ,  Wang Huiqi ,  Wang Xiaoguang
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 51  号： 10  ページ： 4033-4042  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 操作されたアニオン空孔触媒は,それらの調整可能な電子構造と吸着中間体の適度な自由エネルギーのために,電極触媒の分野において,速度活性を示す。ここでは,ナノ多孔性Ni(Al)に担持した豊富なリンvacancies(P_Vを有する多相リン化物を調製する容易なプロセスを示した。X線回折(XRD),電子常磁性共鳴(EPR)および高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)は,得られた材料がAlP相によって誘起された十分なP_Vを有することを明らかにした。最適化した触媒は,np-Ni(Al)骨格/靭帯上にin situ成長した整列ナノフレークと等しく,酸性媒体中での水素発生反応(HERs)の大きな比表面積を曝露する。その独特の階層構造と十分なP_Vから,P_V-np-Ni(Al)-40電極は,カソード電流密度10mA cm-2で36mVの低い過電圧を示し,わずかな減衰で94hまで顕著な長期操作安定性を示す。密度汎関数理論(DFT)計算は,P_Vが電子の再分布を誘起し,P_V(-0.055eV)に近いPサイト上の2P_V-NiP_2のGibbs自由エネルギー(ΔG_H*)を著しく減少させることを確認した。さらに,P_VはFermi準位近くの電子状態を濃縮するのに有益であり,それによってNiP_2の伝導率を改善し,優れたHER活性を達成した。この知見は,多孔質構造を創造するだけでなく,P_V濃度を制御し,P_Vvia脱合金化-リン化を得るためのアクセス可能な経路を開き,高性能HER電極触媒の開発をブースティングするために,Al元素を巧みに活用する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  アラインメント ,  吸着 ,  最適化 ,  *アルミニウム ,  触媒 ,  過電圧 ,  Fermi準位 ,  *媒質 ,  電極触媒 ,  アニオン ,  ナノ構造 ,  水素発生反応 ,  カソード
準シソーラス用語： ナノフレーク ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸性 ,  媒体 ,  水素発生 ,  促進 ,  Ni ,  P化合物 ,  ALP ,  りん ,  空孔