延性基板上の脆性層の破壊:ナノインデンテーション実験とFEMシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Rusinowicz M.; Parry G.; Volpi F.; Mercier D.; Eve S.; Lueders U.; Lallemand F.; Choquet M.; Braccini M.; Boujrouf C.; Hug E.; Coq Germanicus R.; Verdier M.

文献

J-GLOBAL ID：202202285925865653 整理番号：22A1112964

延性基板上の脆性層の破壊:ナノインデンテーション実験とFEMシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Failure of a brittle layer on a ductile substrate: Nanoindentation experiments and FEM simulations

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=22A1112964&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=22A1112964&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0320A") }}

著者 (13件)： , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 163 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： C0320A ISSN： 0022-5096 CODEN： JMPSA8 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

マイクロエレクトロニクスシステム,太陽電池およびパワーデバイスのような機能デバイスは,半導体,セラミックおよび金属合金を含む様々な材料の複雑なスタックから成る。これらのスタックの機械的応答の知識は,製造プロセス(熱処理,機械的研磨,包装プロセス,.)の間,またデバイス寿命の間に厳しい応力を受けるので,キーポイントである。窒化けい素(Si_3N_4)層を厚い金属合金(AlSiCu)層の最上部に堆積するマイクロエレクトロニクス被覆スタックの機械的研究を報告した。マイクロエレクトロニクスチップにおいて,Si_3N_4は不動態化層として広く用いられているが,AlSiCuは電気接続層である。構造をナノインデンテーションによって実験的に試験した。多重ポップイン事象が負荷曲線上で観察され,種々の荷重段階で亀裂発生した亀裂を伴う多重亀裂を示した。負荷曲線の高い再現性は,数値モデリングによってそれらの完全な分析を可能にした。AlSiCuにおける塑性,Si_3N_4層における亀裂伝搬,および2つの層間の界面における剥離の可能性を説明する有限要素法(FEM)によるモデリングを用いて,インデンテーション中の多層の完全な損傷過程を解析した。Si_3N_4で生じる損傷過程の種々の段階を明らかにし,特に圧子(表面観察によって見えない)下の領域における最初の亀裂の発生を示し,続いて,層の上面において圧子からさらに離れた2番目の亀裂が生じた。さらに,FEMシミュレーションと実験データに基づく逆法を用いて,Si_3N_4層引張強度の同定のための新しい手順を示した。サンプルの集束イオンビーム(FIB)ミリング後の走査Electron顕微鏡(SEM)による構造断面の観察によって,シミュレーション結果(亀裂パターンと亀裂位置)をさらに検証した。さらに,提案した同定手順は非常に一般的であり,押込の下で類似の多重亀裂パターンを示す他のシステムに適応できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,

著者キーワード (6件)： , , , , ,

セラミック材料 , 破壊力学一般

, , , , ,

前のページに戻る