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J-GLOBAL ID：202202286092773338   整理番号：22A0986820

GeC/BSe van der Waalsヘテロ構造の電子特性の第一原理研究:全水分解のための直接Z-スキーム光触媒【JST・京大機械翻訳】

First-principles study on the electronic properties of GeC/BSe van der Waals heterostructure: A direct Z-scheme photocatalyst for overall water splitting

著者 (7件)： Huang Xin (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, Information Physics Research Center, School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Cui Zhongguo (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, Information Physics Research Center, School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Shu Xiaomei (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Dong Hongyang (College of Electronic and Optical Engineering and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Weng Yakui (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, Information Physics Research Center, School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Wang Yunhui (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, Information Physics Research Center, School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China) ,  Yang Zhihong (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province, Information Physics Research Center, School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, People’s Republic of China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： 034010  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)van der Waals(vdW)ヘテロ構造の構築は,単一2D材料の光触媒効率を改善する有望な戦略であり,広い注目を引いている。ここでは,2D GeC/BSe vdWヘテロ構造の電子構造,光学特性および光触媒機構を第一原理計算により調べた。GeC/BSeヘテロ構造は比較的安定であり,スタガードバンド配列配置を有することを実証した。GeC層からBSe層への固有ビルトイン電場を界面で確立し,GeC/BSeヘテロ構造におけるZスキーム電荷移動モードの形成を可能にした。さらに,そのバンドエッジは,水酸化還元電位を厳密に絞った。従って,全体の水分解が予想される。また,GeC/BSeヘテロ構造は,[数式:原文を参照]の大きさ秩序を有する良好な光吸収係数を有した。さらに,引張歪の採用は,バンドギャップの好ましい変調のため,可視光域での光吸収をさらに促進し,光触媒反応に有利であることを提案した。最後に,[数式:原文を参照]吸着と[数式:原文を参照]脱着の優れた能力をGeC/BSeヘテロ構造で示した。これらの特徴はGeC/BSeヘテロ構造を水分解のための光触媒への応用に有望である。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  吸着 ,  光学的性質 ,  脱着 ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  光吸収 ,  酸化還元電位 ,  *分解反応 ,  計算 ,  *素子構造 ,  *光化学系 ,  二次元 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  *水分解 ,  *Z-スキーム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： BSE ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  第一原理 ,  研究 ,  水分解 ,  Z-スキーム ,  光触媒