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J-GLOBAL ID：202202286108089618   整理番号：22A0316578

有機トランジスタのための非対称[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン分子半導体のモジュール合成【JST・京大機械翻訳】

Modular synthesis of unsymmetrical [1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene molecular semiconductors for organic transistors

著者 (14件)： Tayu Masanori (Department of Chemistry, University of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK. [e-mail] [e-mail]) ,  Rahmanudin Aiman ,  Perry Gregory J. P. ,  Khan Raja U. ,  Tate Daniel J. ,  Marcial-Hernandez Raymundo ,  Shen Yuan ,  Dierking Ingo ,  Janpatompong Yurachat ,  Aphichatpanichakul Suphaluk ,  Zamhuri Adibah ,  Victoria-Yrezabal Inigo ,  Turner Michael L. ,  Procter David J.
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 13  号： 2  ページ： 421-429  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 未開発,非対称[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(BTBT)足場のモジュールアプローチは,遷移金属フリーPummerer CH-CH型クロスカップリングとNewman-Kwart反応を結合することにより,容易に入手可能なカップリングパートナーからBTBT材料のライブラリーを提供する。非対称BTBT材料へのこの効果的なアプローチは,それらの特性を研究することを可能にした。特に,BTBT足場上の官能基の調節は,固体状態集合と分子軌道エネルギー準位を変調することを可能にする。BTBT含有小分子:高分子ブレンドの電荷輸送特性の研究は,相偏析中の分子秩序化の重要性を明らかにし,半導体高分子バインダ,ポリインダセノジチオフェン-ベンゾチアジアゾール(PIDTBT)と最高被占分子軌道エネルギー準位を整合させた。フェニルまたはメトキシ官能化非対称BTBTとPIDTBTのブレンドを用いて作製したトランジスタから抽出した正孔移動度は,元のPIDTBTを用いて作製したデバイスに対して測定した2倍であった。本研究は,非対称BTBT分子半導体の過小表現ファミリーの構造-特性関係を研究するプラットフォームを提供する合成方法論の価値を強調する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  キャリア移動度 ,  *トランジスタ ,  *半導体 ,  *非対称性 ,  フェニル基 ,  固相 ,  HOMO ,  小分子 ,  官能化 ,  交差カップリング反応
準シソーラス用語： 官能基 ,  軌道エネルギー準位 ,  電荷輸送 ,  *有機FET ,  正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 共重合  (CG04030D) ,  生体の顕微鏡観察法  (EA03050C) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機トランジスタ ,  非対称 ,  ベンゾチオフェン ,  分子 ,  モジュール