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J-GLOBAL ID：202202286112267613   整理番号：22A0389001

WSe_2/WS_2ヘテロ二重層における歪制御層間結合【JST・京大機械翻訳】

Strain regulated interlayer coupling in WSe₂/WS₂ heterobilayer

著者 (8件)： Xu Xiaodan (Key Laboratory for Microstructural Material Physics of Hebei Province, School of Science, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, People’s Republic of China) ,  Xu Xiaodan (The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics, TEDA Institute of Applied Physics and School of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, People’s Republic of China) ,  Wang Cong (College of Mathematics and Physics, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Xiong Wenqi (School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Liu Yang (The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics, TEDA Institute of Applied Physics and School of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, People’s Republic of China) ,  Yang Donghao (The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics, TEDA Institute of Applied Physics and School of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, People’s Republic of China) ,  Zhang Xinzheng (The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics, TEDA Institute of Applied Physics and School of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, People’s Republic of China) ,  Xu Jingjun (The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics, TEDA Institute of Applied Physics and School of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 8  ページ： 085705 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪工学は,原子スケールで材料格子定数を効果的に修正することができ,従って,二次元(2D)材料の物理特性を調整するための効率的な方法になった。歪制御中間層結合の研究は,異種のヘテロ構造に対して価値がある。ここでは,WSe_2/WS_2ヘテロ構造の歪工学とそれらの構成単分子層を系統的に研究した。測定したRamanおよび光ルミネセンススペクトルは,この歪がWSe_2/WS_2ヘテロ構造と同様に単層WSe_2およびWS_2のフォノンエネルギーおよび励起子発光を明らかに調節できることを示した。引張歪は,WSe_2/WS_2ヘテロ構造の電子バンド構造を調整でき,また,層間結合を強化することができる。WSe_2/WS_2ヘテロ二重層中のWS_2対WSe_2の光ルミネセンス強度比は引張歪と共に単調に増加することを明らかにした。これらの発見は,ナノメータスケールの分解能を有する2D材料における歪工学の理解と実用化を広げることができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子定数 ,  光ルミネセンス ,  *フォノン ,  単分子層 ,  二次元 ,  単一層
準シソーラス用語： *層間結合 ,  二重層 ,  ヘテロ構造 ,  中間層 ,  引張歪 ,  原子スケール ,  電子バンド構造 ,  励起子発光 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： テロ ,  重層 ,  歪制御 ,  層間結合