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J-GLOBAL ID:202202286156226085   整理番号:22A0830406

ボトム電極接触:グラフェンエレクトロニクスのための最も適切な構造【JST・京大機械翻訳】

A Bottom-Electrode Contact: The Most Suitable Structure for Graphene Electronics
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: e2102207  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2484A  ISSN: 2196-7350  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Dirac点での低い状態密度(DOS)によって引き起こされるグラフェンの高い接触抵抗は,低電圧,高速グラフェンエレクトロニクスを実現するための主要な制限である。ボトム電極接触はグラフェンデバイスに対するトップ電極接触より低い接触抵抗を持つことが知られている。しかし,その妥当性を確認するためには,十分に研究されていない。ここでは,単層グラフェン電界効果トランジスタにおけるボトム電極としてのPt上のグラフェンの接触抵抗を調べ,その値が種々の方法でクロスチェックされる極めて低い接触抵抗を示した。2プローブと4プローブ法で測定した抵抗の有意差の欠如は,接触抵抗が重要でないことを示した。この極めて低い抵抗率(2.82Ωμmの低さ)は,人工エッジのドーピングまたは生成のような付加的プロセスなしで達成され,ボトム電極接触を有するグラフェンエッジにおけるDOSの増強に起因した。他の報告とは異なり,接触抵抗はグラフェン-金属接触の幅の増加と共に一定であり,Dirac点で最低であり,これはグラフェンエッジに沿った電流の流れの証拠である。すべての観察は,ボトム電極接触がグラフェンエレクトロニクスのための最も適切な構造であることを強く示唆した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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