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J-GLOBAL ID：202202286230874314   整理番号：22A0975048

超高感度磁気センサ構築のための軌道工学異方性磁気抵抗効果【JST・京大機械翻訳】

Orbit-Engineered Anisotropic Magnetoresistive Effect for Constructing a Magnetic Sensor with Ultrahigh Sensitivity

著者 (10件)： Zhu Ronggui (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Yu Lingran (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Ma Xujie (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Guo Qixun (Ji Hua Laboratory, China) ,  Xu Xiulan (Ji Hua Laboratory, China) ,  Shi Chenchen (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Meng Fei (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Li Baohe (Department of Physics, School of Sciences, Beijing Technology and Business University, China) ,  Yu Guanghua (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China) ,  Feng Chun (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 7  ページ： 9917-9924  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン-軌道結合により誘起された強い異方性磁気抵抗(AMR)効果は,高感度かつ信頼性のある磁気センサを構築するための基礎である。現在,従来の膜における効果的なAMR増強は,格子または電荷自由度の変調に焦点を合わせ,4%以下の一般的なAMR比をもたらす。ここでは,軌道自由度を調整することによりAMR効果を強化するための異なる戦略を示した。Ta/MgO/NiFe/MgO/Ta多層膜に酸素親和性Hf層を挿入することによって,MgO/NiFe界面でのFe-O軌道ハイブリッド化を変調して,Feの有効な軌道再構成を誘発した。次に,Feの面内対称d軌道における正孔の数は大幅に増加し,s-d電子散乱を促進し,AMR比を4.8%に増強した。さらに,膜をWheatstoneブリッジにマイクロマシニングすることにより,2.7mV/V/Oeの超高感度と0.8nT/√Hzの低い雑音検出性を示すセンシング要素を構築した。これらの知見から,軌道上のAMRセンサの開発を進め,他の軌道関連物理的効果を調整するための代替法を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  正孔 ,  対称性 ,  電荷 ,  信頼性 ,  *鉄 ,  ハフニウム ,  酸化マグネシウム ,  多層膜 ,  電子散乱 ,  自由度 ,  分子ハイブリダイゼーション ,  マイクロマシニング
準シソーラス用語： d軌道 ,  *異方性磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 異方性磁気抵抗センサ ,  線形感度 ,  騒音 ,  軌道再構成 ,  スピン-軌道結合

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機重合体  (YH07140R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高感度 ,  磁気センサ ,  構築 ,  軌道 ,  工学 ,  異方性 ,  磁気抵抗効果