文献

J-GLOBAL ID：202202286274414685   整理番号：22A0975871

加工表面配位子により可能となった効率的なCsPbBr_3ナノプレートレットベースの青色発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Efficient CsPbBr₃ Nanoplatelet-Based Blue Light-Emitting Diodes Enabled by Engineered Surface Ligands

著者 (21件)： Wang Haoran (Sauvage Laboratory for Smart Materials, The School of Materials Science and Engineering, and Shenzhen Key Laboratory of Flexible Printed Electronics Technology, Harbin Institute of Technology, China) ,  Wang Haoran (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Haoran (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Ye Fanghao (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Ye Fanghao (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Ye Fanghao (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong, China) ,  Sun Jiayun (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Sun Jiayun (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Sun Jiayun (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong, China) ,  Wang Zhaojin (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Zhaojin (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Zhang Chen (Sauvage Laboratory for Smart Materials, The School of Materials Science and Engineering, and Shenzhen Key Laboratory of Flexible Printed Electronics Technology, Harbin Institute of Technology, China) ,  Qian Jingyu (College of Materials Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Zhang Xiaoyu (College of Materials Science and Engineering, Jilin University, China) ,  Choy Wallace C. H. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong, China) ,  Sun Xiao Wei (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Sun Xiao Wei (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Wang Kai (Guangdong University Key Lab for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, Shenzhen Key Laboratory for Advanced Quantum Dot Displays and Lighting, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wang Kai (Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies, Southern University of Science and Technology, Ministry of Education, China) ,  Zhao Weiwei (Sauvage Laboratory for Smart Materials, The School of Materials Science and Engineering, and Shenzhen Key Laboratory of Flexible Printed Electronics Technology, Harbin Institute of Technology, China) ,  Zhao Weiwei (State Key Laboratory of Advanced Welding & Joining, Harbin Institute of Technology, China)
資料名： ACS Energy Letters  (ACS Energy Letters)
巻： 7  号： 3  ページ： 1137-1145  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5040A  ISSN： 2380-8195  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に狭い発光線幅を有する量子閉じ込めCsPbBr_3ナノプレートレット(NPLs)は,色飽和青色エミッタのための有望な候補であるが,それらのエレクトロルミネセンス性能は,主に表面嵩高い有機配位子によって誘起される,劣ったキャリア輸送によって制限される。多くの努力は,通常,長い配位子を短い対応物に置換することに頼り,NPLの厚さの顕著な増加をもたらし,従って,望ましい発光色を得ることを困難にする。ここでは,結晶成長速度を効果的に制御し,表面欠陥を不動態化するために,臭化アンモニウム(NH_4Br)を導入することによって,ほとんど変化しない発光特性を有する短配位子(ブチルアミンおよびミリスチン酸)キャップCsPbBr_3NPLを実現した。さらに,短い共役配位子-フェネチルアンモニウムブロミド(PEABr)合成後処理後に,それらの電気的性能と発光効率(膜光ルミネセンス量子収率80%以上)を劇的に増強することができた。これらの利点により,青色ペロブスカイトNPL系発光ダイオードの記録である2%(463nm)の顕著なエレクトロルミネセンス効率を達成した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  不動態化 ,  共役 ,  *配位子 ,  *ナノ構造 ,  量子閉込め
準シソーラス用語： 発光効率 ,  発光特性 ,  キャリア輸送 ,  *青色LED ,  *ナノプレートレット ,  有機配位子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 加工表面 ,  配位子 ,  ナノプレートレット ,  青色発光ダイオード