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J-GLOBAL ID：202202286366035205   整理番号：22A0396701

ナノエレクトロメカニカル3値連想メモリによるメモリ内最近傍探索【JST・京大機械翻訳】

In-Memory Nearest Neighbor Search With Nanoelectromechanical Ternary Content-Addressable Memory

著者 (3件)： Lee Jae Seong (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Mapo-gu, Republic of Korea) ,  Yoon Jisoo (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Mapo-gu, Republic of Korea) ,  Choi Woo Young (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Mapo-gu, Republic of Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 154-157  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近傍(NN)探索は,パターン分類と記憶増強ニューラルネットワークで広く使われている。従来のNN探索アーキテクチャにおけるvon Neumannボトルネックを克服するために,本研究では,ナノ電気機械スイッチベースの三成分コンテンツアドレス可能メモリ(NEMTCAM)をNN分類器のために導入した。NEMTCAMは,並列探索操作において入力ベクトルと保存ベクトルの間のHamming距離を計算することができる。NEMTCAM操作を実験的に実証した。さらに,セル対セル寄生抵抗を含むNN探索精度の解析モデルを示した。NEMTCAMは,NEMメモリスイッチの高い電流比により,32ビット単語で10Hamming距離を計算できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電流 ,  ベクトル ,  電気機械 ,  ニューラルネットワーク ,  パターン分類 ,  計算機アーキテクチャ ,  単語 ,  解析モデル ,  Hamming距離 ,  *近傍探索法
準シソーラス用語： 寄生抵抗 ,  *TCAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 3値連想メモリ ,  近傍探索