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J-GLOBAL ID：202202286488022588   整理番号：22A0415980

太陽光水分解のための硫化スズ/酸化ガリウムヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

Tin Sulfide/Gallium Oxide Heterojunctions for Solar Water Splitting

著者 (2件)： Suh Jihye (Department of Chemistry, University of Zurich, Winterthurerstrasse 190, Zurich, 8057, Switzerland) ,  Tilley S. David (Department of Chemistry, University of Zurich, Winterthurerstrasse 190, Zurich, 8057, Switzerland)
資料名： Energy Technology  (Energy Technology)
巻： 10  号： 1  ページ： e2100461  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2559A  ISSN： 2194-4288  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スズ(II)硫化物(SnS)は,その好ましいバンドギャップ,元素量,低毒性,低コストのため次世代太陽エネルギー変換のための有望な半導体材料である。しかし,主要な課題は,SnSベースのデバイスで典型的に得られる低い開回路電圧にある。ここでは,低コスト溶液相析出法を用いてSnS薄膜を調製し,SnSベース水分解光電陰極における光電圧を改善するために異なる接合材料(Ga_2O_3とIn_2S_3)を調べた。エチレンジアミンと1,2-エタンジチオールの溶媒混合物中にSnS粉末を溶解することによって,分子インクを調製した。次に,SnS薄膜を基板上へのインクのスピンコーティングにより堆積し,続いて不活性雰囲気中で350°Cで熱処理した。SnS/Ga_2O_3ヘテロ接合に基づく光電極を用いて,pH7リン酸塩緩衝液中の光電気化学水素発生に対して,+0.25V対可逆水素電極(RHE)の開始電位が達成され,これは,SnSベース水分解システムにおけるCdS接合に対する非毒性置換の中で,今まで最も早い開始電位(最高光電圧)であった。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  電圧 ,  電位 ,  薄膜 ,  粉体 ,  硫化カドミウム ,  インク ,  *太陽光 ,  光電陰極 ,  スピンコーティング ,  バンドギャップ ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *水分解 ,  *硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化ガリウム ,  分子インキ ,  光電気化学的水分解 ,  p-n接合 ,  硫化スズ

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： エチレンジアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽光 ,  水分解 ,  硫化スズ ,  酸化ガリウム ,  ヘテロ接合