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J-GLOBAL ID:202202286502490982   整理番号:22A0389027

Cu(111)上の二次元セレン化銅の可逆的構造転移【JST・京大機械翻訳】

Reversible structural transition of two-dimensional copper selenide on Cu(111)
著者 (7件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 095704 (6pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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構造工学は構造を操作するためのドアを開き,二次元材料の特性を調整する。ここでは,走査型トンネル顕微鏡とAuger電子分光法(AES)によるCu(111)上のハニカムCuSe単分子層における可逆的構造転移を報告する。Cu(111)の直接セレン化は,格子不整合により誘起されたCuSeの非対称格子歪により,一次元モアレ構造(ストライプ-CuSe)を有するハニカムCuSe単分子層の形成をもたらした。ポストアニーリングと組み合わせたSeの付加的堆積は,三角形孔(正孔-CuSe)の準秩序化配列,すなわちストライプ-CuSeから正孔-CuSeへの構造転移を有するハニカムCuSeの形成をもたらした。さらに,高温における正孔-CuSeのアニーリングは,逆構造転移,すなわち,正孔-CuSeからストライプ-CuSeへと導いた。AES測定は,可逆的構造転移におけるSe含有量変化を明らかにした。したがって,Se被覆率とアニーリング温度の両方が,Cu(111)上のCuSeの可逆的構造転移に重要な役割を果たす。本研究は,二次元材料における構造転移の理解における洞察を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 
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