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J-GLOBAL ID：202202286503482257   整理番号：22A1035932

ニューロモルフィックコンピューティングのためのマルチレベル抵抗スイッチングを有するパリレンベースメムリスティブクロスバ構造【JST・京大機械翻訳】

Parylene-based memristive crossbar structures with multilevel resistive switching for neuromorphic computing

著者 (17件)： Shvetsov Boris S (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Minnekhanov Anton A (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Emelyanov Andrey V (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Emelyanov Andrey V (Moscow Institute of Physics and Technology, 141700, Dolgoprudny, Moscow Region, Russia) ,  Ilyasov Aleksandr I (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Ilyasov Aleksandr I (Lomonosov Moscow State University, 119991, Moscow, Russia) ,  Grishchenko Yulia V (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Zanaveskin Maxim L (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Nesmelov Aleksandr A (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Streltsov Dmitry R (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Patsaev Timofey D (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Vasiliev Alexander L (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Vasiliev Alexander L (Moscow Institute of Physics and Technology, 141700, Dolgoprudny, Moscow Region, Russia) ,  Vasiliev Alexander L (Federal Research Center ‘Crystallography and Photonics’ of the Russian Academy of Sciences, 117342, Moscow, Russia) ,  Rylkov Vladimir V (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia) ,  Rylkov Vladimir V (Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics RAS, 141190, Fryazino, Moscow Region, Russia) ,  Demin Vyacheslav A (National Research Centre ‘Kurchatov Institute’, 123182, Moscow, Russia)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 25  ページ： 255201 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,人体にとって安全であるウェアラブルで生体適合性のスマートコンピューティングと情報処理システムへの関心が高まっている。低電力消費,スケーラビリティ,および抵抗スイッチング(可塑性)のマルチレベル特性のような多くの魅力的な特性により,このような問題を解決するため,メモリスタデバイスが有望である。マルチレベル可塑性は,ハードウェア神経形態計算システム(NCS)におけるシナプスをエミュレートするのを可能にする。本研究の目的は,クロスバー形状で作製されたCu/ポリ-p-キシリレン(PPX)/Auメムリスタ要素を研究することであった。そのようなサンプルを製造する技術を開発する際に,それらの特性,特に安定およびマルチレベル抵抗スイッチング(少なくとも10の異なる状態)および低動作電圧(<2V)を考慮して,NCSsに好適であった。単一メムリスタのサイクル(C2C)スイッチングと,いくつかのメムリスタのデバイス(D2D)スイッチングに関する実験は,抵抗スイッチング(RS)電圧の高い再現性を示した。得られたメムリスタに基づいて,単純なパターンを分類するために訓練できる形式的ハードウェア神経形態ネットワークを作成した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  スイッチング ,  電圧 ,  計算機システム ,  情報システム ,  ネットワーク ,  シナプス ,  再現性 ,  エミュレーション ,  回路部品 ,  *ハードウェア ,  生体適合性
準シソーラス用語： *マルチレベル ,  低電力化 ,  *抵抗スイッチング ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ニューロモルフィックコンピューティング ,  マルチレベル ,  抵抗スイッチング