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J-GLOBAL ID：202202286538769221   整理番号：22A0324607

アンチモネン/WS_2 van der Waalsヘテロ構造に対する電子および光学特性とデバイス応用【JST・京大機械翻訳】

Electronic and optical properties and device applications for antimonene/WS₂ van der Waals heterostructure

著者 (5件)： He X. (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China) ,  Deng X.Q. (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China) ,  Sun L. (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China) ,  Zhang Z.H. (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China) ,  Fan Z.Q. (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモンとWS_2単分子層は最近広く研究されている。ここでは,Sb/WS_2 van der Waalsヘテロ構造を構築し,密度汎関数理論に基づく電子および光学特性に及ぼすそれらの複合効果を調べた。計算結果から,最も安定なヘテロ構造は,1.183eVの中程度のバンドギャップを有するタイプII半導体であることがわかった。外部電場は,そのバンドギャップを著しく変えることができ,例えば,小さな負の電場は,バンドギャップを鋭く,そして,線形に狭くすることができた。この挙動に基づいて,高性能ヘテロ構造Schottky障壁電界効果トランジスタを設計した。そして,垂直歪の下で,ヘテロ構造はタイプIIバンドアラインメントを維持するのにロバストであるが,バンドギャップは圧力によって急速に減少できる。したがって,「圧縮」と「非歪」状態の間で可逆的に動作することによって,歪ゲート高スイッチ比機械的スイッチデバイスを提案した。また,このヘテロ構造は可視光吸着を好み,光電変換効率(PCE)は20.98%と高かった。特に,小さな正の電場の下で,このヘテロ構造の光吸収とPCEは,22.845%まで著しく増強された。このように,高いPCEを有する太陽電池を提案した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  *光学的性質 ,  太陽電池 ,  電場 ,  半導体 ,  光吸収 ,  アンチモン ,  FET【トランジスタ】 ,  単分子層 ,  可視光 ,  密度汎関数法 ,  ロバスト性 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  Sb/WS_2ヘテロ構造 ,  II型バンドアラインメント ,  光吸収 ,  電力変換効率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： アンチモネン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  光学特性 ,  応用