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J-GLOBAL ID：202202286576427206   整理番号：22A1077574

Si-MOS の電圧印加硬X線光電子分光測定におけるX線照射の影響

Influence of X-ray Irradiation for Bias-applied Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy of Si-MOS

著者 (4件)： 片岡恵太 (株式会社豊田中央研究所) ,  磯村典武 (株式会社豊田中央研究所) ,  兼近将一 (株式会社豊田中央研究所) ,  上田博之 (株式会社豊田中央研究所)
資料名： SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web)  (SPring-8/SACLA Research Report (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 71-75(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： U1844A  ISSN： 2187-6886  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電圧印加下の硬X線光電子分光法 (HAXPES) による MOS (metal-oxide-semiconductor) デバイスの界面準位密度評価に向けて,SiO₂/Si 構造を用いて HAXPES 測定時に照射されるX線の影響を調査した。X線照射前後の容量-電圧測定の比較により,欠陥形成に起因した酸化膜中電荷と界面準位電荷が生成することがわかった。実際に HAXPES によりゲート電圧に依存した MOS 界面のエネルギーバンド位置を測定したところ,このような欠陥形成により,X線照射密度に依存した結果が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *MOS集積回路 ,  状態密度 ,  *X線照射 ,  電圧
準シソーラス用語： HAXPES ,  界面準位密度 ,  *欠陥形成 ,  ゲート電圧 ,  エネルギーバンド

著者キーワード (14件)： HAXPES ,  電圧印加 ,  MOS ,  劣化 ,  2016A4801 ,  2017A5071 ,  BL15XU ,  BL16XU ,  HAXPES ,  MOS ,  2016A4801 ,  2017A5071 ,  BL15XU ,  BL16XU

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (3件)：

• H. Kobayashi et al., Appl. Phys. Lett., 69, 2276 (1996).
• Y. Yamashita et al., e-j. Surf. Sci. Nanotech., 8, 81 (2010).
• Y. Yamashita et al., e-j. Surf. Sci. Nanotech., 17, 56 (2019).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電圧印加 ,  硬X線光電子分光 ,  X線照射