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J-GLOBAL ID:202202286738886332   整理番号:22A0496312

シンクロトロン白色ビームX線トポグラフィーにより解析した化学蒸着成長単結晶ダイヤモンドにおける貫通転位の傾斜【JST・京大機械翻訳】

The inclination of threading dislocation in chemical vapor deposition-grown single-crystal diamond analyzed by synchrotron white beam X-ray topography
著者 (5件):
資料名:
巻: 80  号:ページ: 175-184  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンドは高電圧と高温で使用される次世代電力電子デバイスの有望な材料であるが,成長中に導入された固有欠陥は電気的性質の劣化を引き起こす。非破壊として大面積を分析する結晶欠陥解析方法を改善する必要がある。ここでは,マイクロ波プラズマ増強化学蒸着(MPCVD)により成長させた軸単結晶自立ダイヤモンドにおける貫通転位の傾斜を,シンクロトロン白色ビームX線トポグラフィー(SWBXRT)を用いて解析した。CVD成長ダイヤモンド中の転位の大部分は[001]貫通転位として知られている。しかし,SWBXRTは転位が正確な[001]ではなく,[001]方向から傾いていることを示した。転位傾斜ベクトルを,[001]方向から方向と角度を決定するg=<444>回折画像によって計算した。正確な[001]転位は調査した転位の20%を占め,残りの転位は[001]方向から7°-12°までランダムに傾いた。軸外試料の貫通転位は,ステップフロー支配成長により特定の方向に傾いた。本論文で分析した試料は,軸上成長に起因する局在化ステップ流による特定の方向への依存性を持たなかった。軸上ダイヤモンドにおける転位は,良く制御された軸外試料と同様の程度で傾斜した。Copyright The Korean Physical Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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