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J-GLOBAL ID：202202286765818506   整理番号：22A0322445

マグネトロンスパッタリングにより作製したp-CuO/i-Ga_2O_3/n-GaN発光ダイオードからの優れたエレクトロルミネセンスと電気特性【JST・京大機械翻訳】

Excellent electroluminescence and electrical characteristics from p-CuO/i-Ga₂O₃/n-GaN light-emitting diode prepared by magnetron sputtering

著者 (9件)： Wang Hui (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Xiang Guojiao (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Zhou Yijian (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Peng Wenbo (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Liu Yue (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Zhang Jiahui (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Zhang Jinming (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Li Rong (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China) ,  Zhao Yang (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, 263 Kaiyuan Avenue, Luoyang, 471003, China)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 243  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体技術の開発により,紫外線発光ダイオード(UV-LED)は,照明,殺菌,生物学的医療および他の分野で広く使われており,広い市場応用展望を有する。p-CuO/i-Ga_2O_3/n-GaNヘテロ接合ダイオードを高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法により作製した。ダイオードの電気特性に対する周囲温度の影響を調べ,異なる周囲温度で高整流比を有する典型的なダイオード整流特性を示した。駆動電圧が±3Vのとき,順方向電流の温度感度は逆電流のそれより大きいことが分かった。さらに,2つのルミネセンスピークがエレクトロルミネセンス(EL)測定によって検出でき,1つは~370nmで強い紫外線(UV)ルミネセンスピークであり,他方は~500nmで広い深準位ルミネセンスピークであった。最終的に,ヘテロ接合ダイオードのエネルギーバンド図の観点からルミネセンス機構を考察した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  紫外線 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電流 ,  *ルミネセンス ,  殺菌 ,  HF【周波数】 ,  *電気特性 ,  *窒化ガリウム ,  整流 ,  深い準位 ,  温度感受性
準シソーラス用語： 駆動電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CuO ,  Electronブロッキング層 ,  エレクトロルミネセンス ,  発光ダイオード

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  CuO ,  GaN ,  発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  電気特性