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J-GLOBAL ID：202202286774389918   整理番号：22A0433575

P型Si<100>基板内部の高エネルギーAuイオンの深さプロファイリング【JST・京大機械翻訳】

Depth profiling of energetic Au ions inside P-type Si 〈100〉 substrate

著者 (10件)： Akhlak Alam Md. (Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Akhlak Alam Md. (Homi Bhabha National Institute, Anushaktinagar, Mumbai-400094, India) ,  Trivedi Ayushi (Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Tiwari M.K. (Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Tiwari M.K. (Homi Bhabha National Institute, Anushaktinagar, Mumbai-400094, India) ,  Devi Devarani ,  Rai Sanjay (Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore-452013, India) ,  Gupta Mukul (UGC -DAE Consortium for Scientific Research, Indore-452017, India) ,  Avasthi D.K. (University of Petroleum and Energy Studies, Dehradun-248007, India) ,  Inter University Accelerator Centre, New Delhi-110067, India
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金注入シリコン基板は,赤外イメージング応用,オプトエレクトロニックデバイス,および注入ナノ粒子合成用の検出器のようなマイクロエレクトロニクスデバイスの作製に広く使用されている。これらのデバイスの物理的サイズの連続的ダウンスケーリングは,高感度かつ非破壊的方法を用いて,種々の注入イオン種の信頼できる深さプロファイル研究の方法論を開発することを動機づけた。本論文では,同時X線反射率とすれすれ入射X線蛍光測定を用いてシリコン基板に注入された金イオンの深さプロファイル研究を報告する。XRR-GIXRF研究を用いて得た結果は,二次イオン質量分析の実験測定値とかなり一致した。さらに,エネルギー的金イオンは注入領域の近傍において結晶Si材料の実質的な非晶質化を引き起こし,GIXRD測定を用いて確認された。イオン注入はまた,原子間力顕微鏡測定から明らかにされたように,シリコン基板の頂部に大きい表面修飾と粗さ効果を誘起した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 蛍光 ,  金 ,  イオン注入 ,  蛍光測定 ,  すれすれ入射 ,  原子間力顕微鏡 ,  *深さプロフィル ,  アモルファス化
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  X線反射率 ,  *高エネルギー ,  *金イオン ,  光電子デバイス ,  ナノ粒子合成 ,  *P型シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： イオン注入 ,  深さプロファイリング ,  X線反射率 ,  すれすれ入射X線蛍光 ,  すれすれ入射X線散乱 ,  二次イオン質量分析 ,  原子間力顕微鏡

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： P型Si基板 ,  高エネルギー ,  Auイオン ,  深さプロファイリング