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J-GLOBAL ID:202202286794001379   整理番号:22A0567077

天然有機物除去のための可視光照射下の光触媒膜反応器におけるポリスルホン/H_2O_2-g-C_3N_4混合マトリックス膜の製造と性能【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and performance of polysulfone/H2O2-g-C3N4 mixed matrix membrane in a photocatalytic membrane reactor under visible light irradiation for removal of natural organic matter
著者 (6件):
資料名:
巻: 285  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0428B  ISSN: 1383-5866  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光触媒膜反応器(PMRs)として知られる膜技術との光触媒反応の結合は,近年大きな考慮を受け,膜のファウリングを改善する高いポテンシャルを有する有望なアプローチになる。本論文では,H_2O_2で処理したg-C_3N_4の光触媒をポリスルホン膜に組み込み,膜の防汚性を強化した。AFM,FE-SEM画像,多孔性,および接触角分析は,親水性,多孔性,および表面粗さのような膜特性が改良されることを示した。また,UV-可視DRS,PLスペクトル,EIS分析は,処理したg-C_3N_4(H_2O_2-g-C_3N_4)が高い光吸収と低い電子-正孔再結合速度を有することを確認した。光触媒影響を有するポリスルホン/H_2O_2-g-C_3N_4膜は,光条件下でフミン酸の除去と防汚特性を改善した。また,この組み込みは最適条件で266.6から412.1Lm-2h-1bar-1への水透過性を高めた。かなりの程度で,改質膜は,可視光照射下での長時間実験の間,フミン酸溶液フラックスを維持し,従って,10時間の運転の後,改質膜の流束低下は,初期フラックスと比較して21.9%であり,一方,元の膜では,同じ条件で53%であった。光触媒活性のようなポリスルホン/H_2O_2-g-C_3N_4膜のユニークな特性は,汚損抵抗,特にブロック抵抗の減少をもたらした。これらの結果は,フミン酸溶液を処理するための光照射に曝されたポリスルホン/H_2O_2-g-C_3N_4混合マトリックス膜の高い可能性を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  光化学反応 

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