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J-GLOBAL ID：202202286894156086   整理番号：22A1083287

原子層蒸着を用いて作製したフッ素ドープチタニアの抵抗スイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

Resistive switching properties for fluorine doped titania fabricated using atomic layer deposition

著者 (6件)： Kim Minjae (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea) ,  Wang Yue (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea) ,  Kim Dong-eun (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea) ,  Shao Qingyi (Department of Physics and Telecommunication Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510006, China and Guangdong Provincial Key Laboratory of Nuclear Science, Institute of Quantum Matter, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lee Hong-Sub (Department of Materials Science and Engineering, Kangwon National University, Chuncheon 24341, South Korea) ,  Park Hyung-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 031105-031105-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイス用のインハウスフッ素源を有する原子層堆積(ALD)により作製した新しい抵抗スイッチング材料FドープTiO_2(F:TiO_2)を実証した。RRAMは酸化物中の酸素イオンの再分配による抵抗スイッチング(RS)特性を使用するので,酸素空孔の制御が要求され,酸素欠陥制御不良がRRAM信頼性を著しく低減することを示した。したがって,本研究は,RS挙動の主要試薬のための酸素欠陥よりむしろフッ素アニオンを用いたFベースRRAMデバイスを設計した。ALDにおける新しいその場ドーピング法を用いてF:TiO_2 RRAM材料を開発し,そのRS挙動を調べた。Pt/F:TiO_2/Ptデバイスは,フッ素アニオン移動により,成形無しバイポーラRSと自己整流挙動を示し,クロスバーアレイ構造RRAMにおいて,効果的にsneak電流を減少させた。ドープフッ素はTiO_2中の酸素関連欠陥を不動態化し還元し,X線光電子分光分析により確認した。ALDによるFベースRS材料の採用は,高信頼性RRAMのための実行可能な候補を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スイッチング ,  電流 ,  信頼性 ,  *フッ素 ,  酸化物 ,  不動態化 ,  *ドーピング ,  アニオン ,  整流 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  酸素空格子点 ,  ReRAM ,  酸素イオン ,  高信頼性 ,  酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層蒸着 ,  作製 ,  フッ素 ,  スイッチング特性