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J-GLOBAL ID：202202286950127241   整理番号：22A0313062

GaNにおけるFe注入誘起格子欠陥とそれらの回復【JST・京大機械翻訳】

Fe implantation induced lattice defects and their recovery in GaN

著者 (6件)： Bharuth-Ram K. (School of Chemistry and Physics, University of KwaZulu-Natal, Durban, South Africa) ,  Bharuth-Ram K. (Physics Department, Durban University of Technology, Durban, South Africa) ,  Naidoo D. (School of Physics, University of the Witwatersrand, Johannesburg, South Africa) ,  Adoons V. (Physics Department, Durban University of Technology, Durban, South Africa) ,  Ronning C. (Physics Department, Durban University of Technology, Durban, South Africa) ,  Ronning C. (Institute of Solid State Physics, Friedrich-Schiller-University Jena, Jena, Germany)
資料名： Hyperfine Interactions  (Hyperfine Interactions)
巻： 243  号： 1  ページ： 2  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0639A  ISSN： 0304-3843  CODEN： HYINDN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に成長したGaN薄膜を57Feおよび56Feイオンで60keV,160keVおよび370keVのエネルギーで注入し,膜の約2.6at%の均一な濃度プロファイルを達成するために選択したフルエンスを選択した。注入誘起格子損傷を,試料を900°Cまでアニール後,変換電子Mossbauer分光法(CEMS)で追跡した。格子損傷におけるFeによるスペクトル成分は700°C以上でアニールすると顕著な減少を示し,これはウルツ鉱型GaN格子(Fe_Ga)中のFe置換Gaに起因する常磁性二重項成分の対応する増加を伴った。900°Cでのアニーリング後,Fe_Gaはスペクトル面積の75%を占め,非常に希薄な濃度でGaNに注入されたFeの発光チャネリング測定で観察された置換Fe_Ga分率(80%)と良く一致した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Switzerland AG 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  *格子欠陥 ,  常磁性 ,  焼なまし ,  チャネリング ,  薄膜 ,  発光 ,  *ガリウム ,  *鉄 ,  濃度分布 ,  スペクトル ,  *窒化ガリウム ,  二重項 ,  フルエンス
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaN ,  56Fe/ 7Fe注入 ,  CEMS欠陥アニーリング

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の無機化合物のMoessbauer効果  (BM07083R)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Fe ,  注入 ,  誘起 ,  格子欠陥 ,  回復