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J-GLOBAL ID：202202286969187991   整理番号：22A0741216

F_4TCNQドープ高分子スピンバルブにおける分子sp界面【JST・京大機械翻訳】

Molecular spinterface in F₄TCNQ-doped polymer spin valves

著者 (6件)： Yu Dongxue (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Sciences, Tianjin University, Tianjin 300072, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ding Shuaishuai ,  Li Jing ,  Mi Wenbo ,  Tian Yuan ,  Hu Wenping
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 7  ページ： 2608-2615  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子sp界面は,有機スピンバルブ(OSV)デバイスにおける多状態貯蔵を実現する理想的なプラットフォームである。しかし,伝導率を高め,sp界面を修飾するための効果的な戦略として,分子ドーピングは,垂直OSVデバイスではほとんど報告されておらず,人工ドーピング誘起sp界面の効果は,まだ明確ではない。ここでは,La_2/3Sr_1/3MO_3(LSMO)/ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル(P3HT)/テトラフルオロ-テトラシアノキノジメタン(F_4TCNQ)/Co/Auの積層構造を有するF_4TCNQドープ高分子スピンバルブを作製し,伝導率と磁気抵抗(MR)比の顕著な改善を見出した。界面状態と半スピンバルブの調査によって,F_4TCNQがフリーラジカルの形でドープされ,スピン依存ハイブリッド界面状態(SDHIS)を生成することが分かった。このようなSDHISは,標準巨大磁気抵抗(GMR)効果に課せられた余分な界面磁気抵抗(IMR)効果を示す。この界面ドーピング戦略は,将来の多状態分子スピントロニクスデバイスへの応用に大きな可能性を示し,ラジカル誘起分子sp界面の機構への新しい洞察を提供する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  磁気抵抗 ,  表面準位 ,  ラジカル ,  *高分子 ,  *ドーピング ,  積層構造
準シソーラス用語： *スピンバルブ ,  巨大磁気抵抗 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  シクロヘキサン系  (CF04050W)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  分子スピン ,  バルブ ,  分子 ,  界面