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J-GLOBAL ID：202202287088338280   整理番号：22A1046257

c面サファイア上の高配向MoS_2のエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth of highly-aligned MoS₂ on c-plane sapphire

著者 (7件)： Kang Lulu (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Tian Dewei (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Meng Lan (College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Du Ming (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Yan Wei (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Meng Zhaoshun (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Li Xing-ao (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Provence & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 720  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質で単結晶遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)を成長させる能力は,電子および光電子デバイスの応用にとって重要である。ここでは,化学蒸着(CVD)によるc面サファイア上の高配向二硫化モリブデン(MoS_2)のエピタキシャル成長を報告する。MoS_2フレークの基底端は主にc面サファイアの[-]結晶方位に沿っている。構造キャラクタリゼーションは,サファイアステップエッジとMoS_2ジグザグエッジ間の結合がエピタキシャル成長を生じさせることを示した。整列MoS_2の光ルミネセンス(PL)強度は,ランダム配向MoS_2フレークのものよりはるかに弱く,強いMoS_2-基板相互作用に起因し,従って,整列MoS_2に歪を導入することを見出した。CVDプロセスにおける硫黄と三酸化モリブデン(MoO_3)前駆体の比もMoS_2三角形フレークの配向において本質的な役割を果たす。さらに,整列MoS_2フレークの形態は,大きな成長温度依存性を示し,高い成長温度は,台形MoS_2フレークの形成をもたらした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  *エピタクシー ,  相互作用 ,  単結晶 ,  光ルミネセンス ,  結晶方位 ,  温度依存性 ,  硫化モリブデン ,  硫黄 ,  *サファイア ,  化学蒸着 ,  前駆体
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  ランダム配向 ,  高品質 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  整列成長 ,  MoS_2 ,  化学蒸着

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア ,  配向 ,  エピタキシャル成長