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J-GLOBAL ID:202202287144662125   整理番号:22A1060000

活性量子ドット層に基づく可変同調共鳴Braggフォトニックバンドギャップ構造:全光学スイッチ製造への応用を持つ結晶【JST・京大機械翻訳】

Tunable resonant Bragg photonic bandgap structures based on active quantum dot layers; crystals with applications in all-optical switches manufacturing
著者 (3件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 676-695  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0504A  ISSN: 1745-5030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,新しい調整可能なフォトニックバンドギャップ構造を提案した。GaAs(障壁として)およびInAs/InGaAs量子ドット(活性双極子要素)を含む層を,提案した結晶の主なビルディングブロックとして考察した。共通の伝達マトリックス法を構造の光学的特徴の特性評価に利用した。しかし,より物理的現象を考慮するために,効果的な励起子感受性を,すべての均一および非均一広がりを含む方法で定義した。周期の数,量子ドットの均一性,および障壁/ドットのサイズのような構造パラメータに対する光学応答の依存性を第一段階で調べた。最適値の抽出,結晶温度,光入射角の変化,および外部ポンプレーザの照明による構造の光学的特徴の同調性を調べた。全光スイッチとして用いるための提案構造の可能性を研究するために,50psの方形波パルス系列に対する結晶の応答と10101のデータシーケンスをポンプパルスをオンオフして調べた。結果は,より少ない量子ドットサイズ変動と低温に対して顕著である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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