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J-GLOBAL ID：202202287192883814   整理番号：22A0160332

平面シリセンナノリボンSiNRの構造,電子及び光学特性に及ぼす水素/ハロゲン端終端の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of hydrogen/halogen -edge termination on structural, electronic, and optical properties of planar silicene nanoribbons SiNRs

著者 (4件)： Djabri I. (Laboratory Studies of Surfaces and Interfaces of Solid Materials (LESIMS), Faculty of Sciences, Department of Physics, University of Badji Mokhtar, BP 12, 23000, Annaba, Algeria) ,  Kadri M.T. (Laboratory Studies of Surfaces and Interfaces of Solid Materials (LESIMS), Faculty of Sciences, Department of Physics, University of Badji Mokhtar, BP 12, 23000, Annaba, Algeria) ,  Belkhir H. (Laboratory Studies of Surfaces and Interfaces of Solid Materials (LESIMS), Faculty of Sciences, Department of Physics, University of Badji Mokhtar, BP 12, 23000, Annaba, Algeria) ,  Bououdina M. (Department of Physics, College of Science, University of Bahrain, PO Box 32038, Bahrain)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 136  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジグザグ(ZSiNRs)とアームチェア(ASiNRs)エッジを有する平面SiNRの構造,電子,および光学特性に及ぼす(水素/ハロゲン)エッジ終端の影響をDFT計算によって調べた。得られた結果は,X端終端が平面SiNRsのバンドギャップを調整,開放する新しい方法であり,金属特性を示すことを示した。状態密度(DOS)解析は,ハロゲン-pとエッジSi-p状態の間の強いハイブリダイゼーションを明らかにし,それはH-sとエッジSi-p状態の場合ではない。計算した電荷密度輪郭はSi-X(X=H,F,Cl,Br,およびI)結合のイオン的性質を明らかにした。しかし,Si-Si結合は典型的な共有結合特性を示した。両偏光に対する光学特性の研究は,7-ASiNR-Xと5-ZSiNR-Xが,両偏光下で赤外(IR),可視(VIS),および紫外(UV)領域で強い光学異方性を示し,偏光感受性光検出器のようなオプトエレクトロニクスと光ナノデバイスのための有望な候補であることを示した。さらに,完全平面ASiNRとZSiNRに対して,ε_2yy(ω)の強い吸収ピークは,それぞれ0.32(0.36)eVで生じ,これらの化合物がIR光電子素子の候補であることを示唆した。ASiNR-HおよびZSiNR-H系について,それぞれ5.17および4.5eVに中心を持つ最も支配的な吸収ピークは,UV範囲で高い吸収を示し,光起電力デバイスに対する有望なナノ材料を作製できた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  赤外線 ,  光検出器 ,  偏光 ,  *水素 ,  *ハロゲン ,  光起電素子 ,  オプトエレクトロニクス ,  状態密度 ,  共有結合 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 平面シリセンナノリボン ,  (水素/ハロゲン)エッジ終端 ,  電子物性 ,  光学特性 ,  DFT

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： SINR ,  電子 ,  光学特性 ,  水素 ,  ハロゲン ,  終端