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J-GLOBAL ID:202202287235213474   整理番号:22A0694776

ワイドバンドギャップを有する全sp=2ハイブリダイゼーションBN多形【JST・京大機械翻訳】

All sp2 hybridization BN polymorphs with wide bandgap
著者 (6件):
資料名:
巻: 131  号:ページ: 055703-055703-13  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,構造特性,安定性,弾性特性,異方性,および電子特性を含む第一原理計算によって,sp2混成を有する4つの新しい窒化ホウ素多形hP24BN,hP18-IBN,mP36BN,およびhP18-IIBNを研究した。電子バンド構造によって予測されて,hP24,hP18-I,mP36,およびhP18-II相におけるすべてのBN多形は,2.97~4.72eVのバンドギャップを有する広バンドギャップ半導体材料である。一方,hP24BNのバンドギャップはZnOのものより大きく,hP18-IBN,mP36BN,およびhP18-IIBNのバンドギャップは,GaNとSiCのものより大きい。新しい窒化ホウ素多形は,弾性定数,フォノンスペクトル,および関連するエンタルピーを分析することによって,機械的安定性,動的安定性,および熱力学的安定性を有する。hP24 BN,hP18-I BN,mP36 BN,およびhP18-II BNのB/Gの値は1.75より大きく,それらは延性材料であることを確認した。それらの密度は約2.10g/cm3であり,c-BN(3.466g/cm3)より小さい。本研究におけるBN多形は,Young率において異なる程度の異方性を示し,hP24BNはYoung率において最大の異方性を示し,一方,mP36BNは最小のYoung率異方性を示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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固体の機械的性質一般 
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