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J-GLOBAL ID：202202287249256465   整理番号：22A1089395

ビスマス取込みとInAs(110)の表面形態に及ぼすその影響【JST・京大機械翻訳】

Bismuth incorporation and its influence on surface morphology of InAs (110)

著者 (2件)： Carter B.A. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48105, United States) ,  Millunchick J.M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48105, United States)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 586  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V半導体におけるBiの低い固体溶解度は,それらの膜中に高いBi取り込みを達成する。結晶配向は,Bi取込みに影響するのに使用できるパラメータとしてしばしば見落とされる。本研究では,InAs(001)対InAs(110)上に成長した超格子構造におけるBiの取り込みの違いを調べた。X線回折は,成長中にBi液滴が表面上に形成されるかどうかの関数として,2つの表面間のBi取り込みにおける明確な違いを明らかにした。原子間力顕微鏡は,表面形態もBi堆積量の関数として変化することを示した。最後に,Biの取り込みと表面形態の変化を説明する可能な機構を考察した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  液滴 ,  化合物半導体 ,  超格子 ,  半導体 ,  *ビスマス ,  結晶方位 ,  固溶度 ,  *ヒ化インジウム ,  *取込 ,  パラメータ ,  MBE成長 ,  原子間力顕微鏡 ,  *モルフォロジー
準シソーラス用語： *表面形態 ,  III-V半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3 薄膜/エピタキシャル成長 ,  A3 分子ビームエピタクシー ,  B1 合金 ,  B2 半導体III-V材料 ,  A1 表面構造 ,  A1.原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ビスマス ,  取込み ,  InAs ,  表面形態