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J-GLOBAL ID：202202287280601513   整理番号：22A0737580

TEGで用いられるn型Mg_3Sb_1.5Bi_0.5単一脚における熱電界面材料のための一般的設計戦略【JST・京大機械翻訳】

A general design strategy for thermoelectric interface materials in n-type Mg₃Sb_1.5Bi_0.5 single leg used in TEGs

著者 (9件)： Wu Xinzhi (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Han Zhijia (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Zhu Yongbin (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Deng Biao (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Zhu Kang (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Liu Chengyan (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, Guangdong, China) ,  Jiang Feng (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Liu Weishu (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Liu Weishu (Guangdong Provincial Key Laboratory of Functional Oxide Materials and Devices, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, Guangdong, China)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 226  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電発電機(TEG)の信頼性は熱電(TE)材料と電極間の接触界面に大きく依存する。n型Mg_3Sb_1.5Bi_0.5系に対するTE界面材料(TEiMs)を生成するための一般的合金化法を提案した。TEiMは,はんだ付け集合に先行する金属化層または障壁として機能する。最初に,高い結合強度と低い界面抵抗の基準を考慮して,マトリックス要素として15元素からFeを選択した。高い結合傾向,熱膨張係数(CTE)整合,拡散不動態化,およびドーパント不活性化の原則に従って,>40MPaのせん断強さ(σs)を有する2種類の三元合金(Fe_7Mg_2CrとFe_7Mg_2Ti)と<5μΩcm2の比接触抵抗(ρ_c)を得た。さらに,TEiM/Mg_3Sb_1.5Bi_0.5接触界面の熱安定性を時効処理を用いて調べた。接触界面は,高いせん断強さ(σ_s>30MPa),低い比接触抵抗(ρ_c<10μΩcm2)および400°C,15日間の時効処理後の優れた熱安定性を示した。ここで提示した一般的TEiM設計戦略は,TEGデバイスにおける接触界面のさらなる最適化に寄与するであろう。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  最適化 ,  *電場 ,  鉄 ,  不動態化 ,  はんだ付 ,  剪断強さ ,  三元合金 ,  メタライゼーション ,  熱膨張係数 ,  合金化 ,  時効処理 ,  ドーパント ,  付着強さ
準シソーラス用語： 接触界面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電界面材料 ,  Mg_3Sb_1.5Bi_0.5 ,  接着強度 ,  界面抵抗率 ,  界面熱安定性

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： TEG ,  脚 ,  電界 ,  面材料 ,  設計戦略