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J-GLOBAL ID：202202287395294246   整理番号：22A0963775

ナノスケールシリコン導波路のための横方向電気(TE)および横磁気(TM)モード依存有効屈折率解析【JST・京大機械翻訳】

Transverse Electric (TE) and Transverse Magnetic (TM) Modes Dependent Effective Index Analysis for a Nano-scale Silicon Waveguide

著者 (2件)： Chen A.T.C. (Universiti Teknologi Brunei (UTB),Department of Electrical and Electronic Engineering,Gadong,Brunei Darussalam) ,  Uddin M. Rakib (Universiti Teknologi Brunei (UTB),Department of Electrical and Electronic Engineering,Gadong,Brunei Darussalam)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ICACT  ページ： 402-406  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MODE溶液を用いてシリコン導波路厚さに対する有効指数の効果を提案し,実証した。有効指数変動の影響を,220nmと200nmの2つの異なる固定コア高さに対して提示し,各コア幅を,横方向電気(TE)と横方向磁気(TM)モードに対して,l00nmのステップで300nmから600nmまでとした。シミュレーション結果を用いて,コア幅の厚さを,基本または高次モード設計の決定に用いた。コア幅とコア高さが増加するにつれて,より高い有効指数を達成できることが分かった。基本または高次モード設計の決定は,TEO,TMO,TE1およびTM1モードに対する有効指数のグラフを,様々なコア高さおよび幅で解析することによって達成できる。解析に基づいて,シリコンコア幅が約500nmの値に保たれたとき,基本次数が達成されるだけであり,一方,シリコンコア幅が500nm以上に保たれるならば,より高いモード次数を達成できると結論した。高次モードでは,過剰雑音と損失を導入できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *ケイ素 ,  *磁気 ,  *導波路
準シソーラス用語： 過剰雑音 ,  高次モード ,  *有効屈折率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 導波路 ,  横方向 ,  Te ,  磁気 ,  Tm ,  有効屈折率 ,  解析