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J-GLOBAL ID：202202287589030494   整理番号：22A0726510

半導体ナノ結晶上の化学選択的表面トラップ媒介金属成長【JST・京大機械翻訳】

Chemoselective Surface Trap-Mediated Metal Growth on Semiconductor Nanocrystals

著者 (4件)： Sutter Sebastian (Department of Chemistry, University of Konstanz, Germany) ,  Grings Jonas (Department of Chemistry, University of Konstanz, Germany) ,  Boldt Klaus (Department of Chemistry, University of Konstanz, Germany) ,  Boldt Klaus (Zukunftskolleg, University of Konstanz, Germany)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 34  号： 3  ページ： 1325-1333  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より軽いカルコゲン化物上のカドミウムとテルル化亜鉛に対する強い優先性を有する半導体ナノヘテロ構造上の貴金属の高度に化学選択的堆積を示した。選択性を,同族硫化物とセレン化物のn型欠陥と比較して,テルル化物上のp型表面トラップによって説明し,粒子表面を不動態化することによってオフできた。結果は半導体ナノ結晶の表面欠陥の性質と役割への洞察を与えた。多くの小さな金属シードの速い生成は,粒子の星状または分枝超構造への凝集をもたらし,露出した半導体表面の残りを残した。それは,光触媒における潜在的用途を有する,複雑な,しかし,明確な半導体-金属ハイブリッド構造に対して,調製ルートを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  カドミウム ,  貴金属 ,  不動態化 ,  硫化物 ,  テルル化物 ,  *成長 ,  カルコゲン化物 ,  セレン化物 ,  テルル化亜鉛 ,  光触媒 ,  *ナノ結晶 ,  複合構造
準シソーラス用語： 超構造 ,  ヘテロ構造 ,  *半導体ナノ結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ナノ結晶 ,  化学 ,  トラップ ,  成長