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J-GLOBAL ID:202202287664346331   整理番号:22A0396666

強誘電体電界効果トランジスタシナプスデバイスのための増分ドレイン電圧ランプトレーニング法【JST・京大機械翻訳】

Incremental Drain-Voltage-Ramping Training Method for Ferroelectric Field-Effect Transistor Synaptic Devices
著者 (8件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 17-20  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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シリコンオンインシュレータ基板上に作製したHfZrO_2(HZO)強誘電体電界効果トランジスタを,MHzシナプスデバイス応用をターゲットとして実証した。作製したHZO強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)におけるロバスト保持,優れた直線性,および対称増強/抑制(P/D)により,安定な多状態重量を実現した。P/Dの線形性と対称性をさらに改善し,シナプスデバイスとしてFeFETの操作条件を拡張するために,新しい増分ドレイン-電圧-ランプ法を提案して,その適合性を徹底的に検証した。結果は,安定な繰り返し性を有する線形および対称P/Dが広範囲の操作条件の下で得られ,MNISTパターン認識シミュレーションを通して95%の学習精度が達成されることを明らかにした。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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