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J-GLOBAL ID：202202287696270979   整理番号：22A0974665

ハロゲン化ナトリウムバッファ層を用いたCuIの回転ドメインの抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppression of Rotational Domains of CuI Employing Sodium Halide Buffer Layers

著者 (7件)： Storm Philipp (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Karimova Khanim (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Bar Michael Sebastian (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Selle Susanne (Fraunhofer Institute for Microstructure of Materials and Systems IMWS, Germany) ,  von Wenckstern Holger (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Grundmann Marius (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany) ,  Lorenz Michael (Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Germany)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 10  ページ： 12350-12358  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 回転ドメインの発生は,サファイアのような一般的な基板上での成長のために自然に起こるヨウ化銅(CuI)のよく知られた問題である。しかし,これは,表面粗さの増加や粒界散乱による輸送特性の低下のような薄膜品質に悪影響を与える。パルスレーザー蒸着と塩化ナトリウム(NaCl)と臭化ナトリウム(NaBr)テンプレート層のin situ成長を利用して,c面サファイアとSrF_2(111)基板上のCuIの回転ドメインの形成を抑制する可能性を調べた。対応する試料をそれらのエピタキシャル特性に関して調べ,(体積)結晶,形態,および電気的性質に関してさらに特性化した。特に,NaBrテンプレート層では,CuI薄膜の完全単結晶成長が得られ,CuI層の表面粗さが著しく減少した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  結晶粒界 ,  散乱 ,  薄膜 ,  結晶 ,  電気的性質 ,  *ナトリウム ,  塩化ナトリウム ,  *ハロゲン化 ,  サファイア ,  *バッファ層 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  単結晶成長 ,  ヨウ化銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CuI ,  薄膜 ,  透明p型半導体 ,  パルスレーザ蒸着 ,  エピタクシー ,  緩衝層

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ハロゲン化 ,  ナトリウム ,  バッファ層 ,  CUI ,  ドメイン